HMBT8550 . Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características
Número de Parte: HMBT8550
Material: Si
Polaridad de transistor: PNP
ESPECIFICACIONES MÁXIMAS
Disipación total del dispositivo (Pc): 0.225 W
Tensión colector-base (Vcb): 25 V
Tensión colector-emisor (Vce): 20 V
Tensión emisor-base (Veb): 5 V
Corriente del colector DC máxima (Ic): 0.7 A
Temperatura operativa máxima (Tj): 150 °C
CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS
Transición de frecuencia (ft): 150 MHz
Capacitancia de salida (Cc): 10 pF
Ganancia de corriente contínua (hfe): 100
Paquete / Cubierta: SOT-23
Búsqueda de reemplazo de transistor bipolar HMBT8550
HMBT8550 Datasheet (PDF)
hmbt8550.pdf
Spec. No. : HE6813HI-SINCERITYIssued Date : 1997.08.11Revised Date : 2004.08.17MICROELECTRONICS CORP.Page No. : 1/4HMBT8550PNP EPITAXIAL TRANSISTORDescriptionThe HMBT8550 is designed for general purpose amplifier applications.SOT-23Features High DC Current: hFE=150-400 at IC=150mA Complementary to HMBT8050Absolute Maximum Ratings Maximum TemperaturesStor
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Spec. No. : HE6812 HI-SINCERITY Issued Date : 1992.08.25 Revised Date :2010.10.19 MICROELECTRONICS CORP. Page No. : 1/4 HMBT8050 NPN EPITAXIAL TRANSISTOR Description The HMBT8050 is designed for general purpose amplifier applications. SOT-23 Features High DC Current hFE=150-400 at IC=150mA Complementary to HMBT8550 Absolute Maximum Ratings Maximum Tempera
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