Биполярный транзистор HMBT8550 - описание производителя. Основные параметры. Даташиты.
Наименование производителя: HMBT8550
Тип материала: Si
Полярность: PNP
Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 0.225 W
Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 25 V
Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 20 V
Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 5 V
Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 0.7 A
Предельная температура PN-перехода (Tj): 150 °C
Граничная частота коэффициента передачи тока (ft): 150 MHz
Ёмкость коллекторного перехода (Cc): 10 pf
Статический коэффициент передачи тока (hfe): 100
Корпус транзистора: SOT-23
HMBT8550 Datasheet (PDF)
hmbt8550.pdf
Spec. No. : HE6813HI-SINCERITYIssued Date : 1997.08.11Revised Date : 2004.08.17MICROELECTRONICS CORP.Page No. : 1/4HMBT8550PNP EPITAXIAL TRANSISTORDescriptionThe HMBT8550 is designed for general purpose amplifier applications.SOT-23Features High DC Current: hFE=150-400 at IC=150mA Complementary to HMBT8050Absolute Maximum Ratings Maximum TemperaturesStor
hmbt8050.pdf
Spec. No. : HE6812 HI-SINCERITY Issued Date : 1992.08.25 Revised Date :2010.10.19 MICROELECTRONICS CORP. Page No. : 1/4 HMBT8050 NPN EPITAXIAL TRANSISTOR Description The HMBT8050 is designed for general purpose amplifier applications. SOT-23 Features High DC Current hFE=150-400 at IC=150mA Complementary to HMBT8550 Absolute Maximum Ratings Maximum Tempera
Другие транзисторы... 2N3200 , 2N3201 , 2N3202 , 2N3203 , 2N3204 , 2N3205 , 2N3206 , 2N3207 , B772 , 2N3209 , 2N3209AQF , 2N3209CSM , 2N3209DCSM , 2N3209L , 2N321 , 2N3210 , 2N3211 .
