HSB1109S Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características
Número de Parte: HSB1109S
Material: Si
Polaridad de transistor: PNP
ESPECIFICACIONES MÁXIMAS
Disipación total del dispositivo (Pc): 0.9 W
Tensión colector-base (Vcb): 160 V
Tensión colector-emisor (Vce): 160 V
Tensión emisor-base (Veb): 5 V
Corriente del colector DC máxima (Ic): 0.1 A
Temperatura operativa máxima (Tj): 150 °C
CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS
Transición de frecuencia (fT): 140 MHz
Capacitancia de salida (Cc): 5.5 pF
Ganancia de corriente contínua (hFE): 60
Encapsulados: TO-92
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HSB1109S datasheet
hsb1109s.pdf
Spec. No. HE6514 HI-SINCERITY Issued Date 1993.03.15 Revised Date 2005.02.14 MICROELECTRONICS CORP. Page No. 1/5 HSB1109S PNP EPITAXIAL PLANAR TRANSISTOR Description The HSB1109S is designed for low frequency and high voltage amplifier applications complementary pair with HSD1609S. TO-92 Absolute Maximum Ratings Maximum Temperatures Storage Temperature ................
hsb1109.pdf
Spec. No. HE6607 HI-SINCERITY Issued Date 1993.03.15 Revised Date 2005.08.18 MICROELECTRONICS CORP. Page No. 1/4 HSB1109 PNP EPITAXIAL PLANAR TRANSISTOR Features Low frequency high voltage amplifier Complementary pair with HSD1609 TO-126ML Absolute Maximum Ratings (TA=25 C) Maximum Temperatures Storage Temperature ..............................................
Otros transistores... HMPSA92M , HMPSA94 , HPH2369 , HPN2222A , HPN2907A , HSA1015 , HSA733 , HSB1109 , S9014 , HSB649A , HSB649T , HSB772 , HSB772S , HSB857 , HSB857D , HSB857J , HSC1815 .
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Liste
Recientemente añadidas las descripciónes de los transistores:
BJT: GA1A4M | SBT42 | 2SA200-Y | 2SA200-O | 2SD882-Q | 2SD882-P | 2SD882-E | 2SC945-L | 2SC945-H | 2SC4226-R23 | 2SC3357-F | 2SC3357-E | 2SC3356-R26 | 2SC3356-R24 | 2SC3356-R23 | 2SB772-Q | 2SB772-P | 2SB772-E | 2SA1015-L | 2SA1015-H | HSS8550
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