HSB1109S Todos los transistores

 

HSB1109S . Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características


   Número de Parte: HSB1109S
   Material: Si
   Polaridad de transistor: PNP

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS


   Disipación total del dispositivo (Pc): 0.9 W
   Tensión colector-base (Vcb): 160 V
   Tensión colector-emisor (Vce): 160 V
   Tensión emisor-base (Veb): 5 V
   Corriente del colector DC máxima (Ic): 0.1 A
   Temperatura operativa máxima (Tj): 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS


   Transición de frecuencia (ft): 140 MHz
   Capacitancia de salida (Cc): 5.5 pF
   Ganancia de corriente contínua (hfe): 60
   Paquete / Cubierta: TO-92
 

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HSB1109S Datasheet (PDF)

 ..1. Size:51K  hsmc
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HSB1109S

Spec. No. : HE6514HI-SINCERITYIssued Date : 1993.03.15Revised Date : 2005.02.14MICROELECTRONICS CORP.Page No. : 1/5HSB1109SPNP EPITAXIAL PLANAR TRANSISTORDescriptionThe HSB1109S is designed for low frequency and high voltage amplifierapplications complementary pair with HSD1609S.TO-92Absolute Maximum Ratings Maximum TemperaturesStorage Temperature ................

 7.1. Size:42K  hsmc
 hsb1109.pdf pdf_icon

HSB1109S

Spec. No. : HE6607HI-SINCERITYIssued Date : 1993.03.15Revised Date : 2005.08.18MICROELECTRONICS CORP.Page No. : 1/4HSB1109PNP EPITAXIAL PLANAR TRANSISTORFeatures Low frequency high voltage amplifier Complementary pair with HSD1609TO-126MLAbsolute Maximum Ratings (TA=25C) Maximum TemperaturesStorage Temperature ..............................................

Otros transistores... HMPSA92M , HMPSA94 , HPH2369 , HPN2222A , HPN2907A , HSA1015 , HSA733 , HSB1109 , 2SC4793 , HSB649A , HSB649T , HSB772 , HSB772S , HSB857 , HSB857D , HSB857J , HSC1815 .

History: 2SB1057 | 2N120 | ZTX107

 

 
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