HSB649A Todos los transistores

 

HSB649A . Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características


   Número de Parte: HSB649A
   Material: Si
   Polaridad de transistor: PNP

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS


   Disipación total del dispositivo (Pc): 20 W
   Tensión colector-base (Vcb): 180 V
   Tensión colector-emisor (Vce): 160 V
   Tensión emisor-base (Veb): 5 V
   Corriente del colector DC máxima (Ic): 1.5 A
   Temperatura operativa máxima (Tj): 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS


   Transición de frecuencia (ft): 140 MHz
   Capacitancia de salida (Cc): 27 pF
   Ganancia de corriente contínua (hfe): 60
   Paquete / Cubierta: TO-126ML
 

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HSB649A Datasheet (PDF)

 ..1. Size:41K  hsmc
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HSB649A

Spec. No. : HE6629HI-SINCERITYIssued Date : 1995.12.18Revised Date : 2005.08.18MICROELECTRONICS CORP.Page No. : 1/4HSB649ASILICON PNP EPITAXIAL PLANAR TRANSISTORDescriptionLow frequency power amplifier complementary pair with HSD669A.TO-126MLAbsolute Maximum Ratings (TA=25C) Maximum TemperaturesStorage Temperature ..................................................

 8.1. Size:41K  hsmc
 hsb649t.pdf pdf_icon

HSB649A

Spec. No. : HT200103HI-SINCERITYIssued Date : 2001.12.01Revised Date : 2005.12.02MICROELECTRONICS CORP.Page No. : 1/4HSB649TSILICON PNP EPITAXIAL PLANAR TRANSISTORDescriptionLow frequency power amplifier.TO-126Absolute Maximum Ratings (TA=25C) Maximum TemperaturesStorage Temperature ..................................................................................

Otros transistores... HMPSA94 , HPH2369 , HPN2222A , HPN2907A , HSA1015 , HSA733 , HSB1109 , HSB1109S , BC327 , HSB649T , HSB772 , HSB772S , HSB857 , HSB857D , HSB857J , HSC1815 , HSC945 .

History: BD830B | DTA144VSA | KT626V | FV3300 | 2SA1480C | 2SC3284 | 2N424-1

 

 
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