Биполярный транзистор HSB649A - описание производителя. Основные параметры. Даташиты.
Наименование производителя: HSB649A
Тип материала: Si
Полярность: PNP
Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 20 W
Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 180 V
Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 160 V
Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 5 V
Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 1.5 A
Предельная температура PN-перехода (Tj): 150 °C
Граничная частота коэффициента передачи тока (ft): 140 MHz
Ёмкость коллекторного перехода (Cc): 27 pf
Статический коэффициент передачи тока (hfe): 60
Корпус транзистора: TO-126ML
HSB649A Datasheet (PDF)
hsb649a.pdf
Spec. No. : HE6629HI-SINCERITYIssued Date : 1995.12.18Revised Date : 2005.08.18MICROELECTRONICS CORP.Page No. : 1/4HSB649ASILICON PNP EPITAXIAL PLANAR TRANSISTORDescriptionLow frequency power amplifier complementary pair with HSD669A.TO-126MLAbsolute Maximum Ratings (TA=25C) Maximum TemperaturesStorage Temperature ..................................................
hsb649t.pdf
Spec. No. : HT200103HI-SINCERITYIssued Date : 2001.12.01Revised Date : 2005.12.02MICROELECTRONICS CORP.Page No. : 1/4HSB649TSILICON PNP EPITAXIAL PLANAR TRANSISTORDescriptionLow frequency power amplifier.TO-126Absolute Maximum Ratings (TA=25C) Maximum TemperaturesStorage Temperature ..................................................................................
Другие транзисторы... 2SA1803O , 2SA1803R , 2SA1804 , 2SA1804O , 2SA1804R , 2SA1805 , 2SA1805O , 2SA1805R , TIP42 , 2SA181 , 2SA1810 , 2SA1810B , 2SA1810C , 2SA1811 , 2SA1815 , 2SA1815-3 , 2SA1815-4 .
Список транзисторов
Обновления
BJT: SBT42 | 2SA200-Y | 2SA200-O | 2SD882-Q | 2SD882-P | 2SD882-E | 2SC945-L | 2SC945-H | 2SC4226-R23 | 2SC3357-F | 2SC3357-E | 2SC3356-R26 | 2SC3356-R24 | 2SC3356-R23 | 2SB772-Q | 2SB772-P | 2SB772-E | 2SA1015-L | 2SA1015-H | HSS8550 | HSS8050