HSD468 . Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características
Número de Parte: HSD468
Material: Si
Polaridad de transistor: NPN
ESPECIFICACIONES MÁXIMAS
Disipación total del dispositivo (Pc): 0.9 W
Tensión colector-base (Vcb): 25 V
Tensión colector-emisor (Vce): 20 V
Tensión emisor-base (Veb): 5 V
Corriente del colector DC máxima (Ic): 1 A
Temperatura operativa máxima (Tj): 150 °C
CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS
Transición de frecuencia (ft): 190 MHz
Capacitancia de salida (Cc): 22 pF
Ganancia de corriente contínua (hfe): 85
Paquete / Cubierta: TO-92
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HSD468 Datasheet (PDF)
hsd468.pdf

Spec. No. : HE6535HI-SINCERITYIssued Date : 1992.11.25Revised Date : 2006.07.27MICROELECTRONICS CORP.Page No. : 1/5HSD468NPN Epitaxial Planar TransistorDescriptionThe HSD468 is designed for general purpose low frequency power amplifier applications.TO-92Absolute Maximum Ratings Maximum TemperaturesStorage Temperature..................................................
Otros transistores... HSB857D , HSB857J , HSC1815 , HSC945 , HSD1609 , HSD1609S , HSD1616A , HSD313 , TIP31 , HSD667A , HSD669A , HSD669AT , HSD879 , HSD882 , HSD882S , HSD965 , HT112 .
History: BDW21C | BCX38C | 2SD1273 | BSW29 | 2N2085 | BDW12 | 2SCR514PFRA
History: BDW21C | BCX38C | 2SD1273 | BSW29 | 2N2085 | BDW12 | 2SCR514PFRA



Liste
Recientemente añadidas las descripciónes de los transistores:
BJT: GA1A4M | SBT42 | 2SA200-Y | 2SA200-O | 2SD882-Q | 2SD882-P | 2SD882-E | 2SC945-L | 2SC945-H | 2SC4226-R23 | 2SC3357-F | 2SC3357-E | 2SC3356-R26 | 2SC3356-R24 | 2SC3356-R23 | 2SB772-Q | 2SB772-P | 2SB772-E | 2SA1015-L | 2SA1015-H | HSS8550
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