HSD669AT Todos los transistores

 

HSD669AT . Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características


   Número de Parte: HSD669AT
   Material: Si
   Polaridad de transistor: NPN

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS


   Disipación total del dispositivo (Pc): 20 W
   Tensión colector-base (Vcb): 180 V
   Tensión colector-emisor (Vce): 160 V
   Tensión emisor-base (Veb): 5 V
   Corriente del colector DC máxima (Ic): 1.5 A
   Temperatura operativa máxima (Tj): 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS


   Transición de frecuencia (ft): 140 MHz
   Capacitancia de salida (Cc): 14 pF
   Ganancia de corriente contínua (hfe): 100
   Paquete / Cubierta: TO-126
 

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HSD669AT Datasheet (PDF)

 ..1. Size:89K  hsmc
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HSD669AT

Spec. No. : H200901 HI-SINCERITY Issued Date : 2009.02.20 Revised Date : MICROELECTRONICS CORP. Page No. : 1/4 HSD669AT NPN Epitaxial Planar Transistor Description Low frequency power amplifier complementary pair with HSB649A TO-126 Absolute Maximum Ratings (TA=25C) Maximum Temperatures Storage Temperature .........................................................

 7.1. Size:43K  hsmc
 hsd669a.pdf pdf_icon

HSD669AT

Spec. No. : HE6630HI-SINCERITYIssued Date : 1995.12.18Revised Date : 2006.07.27MICROELECTRONICS CORP.Page No. : 1/4HSD669ANPN Epitaxial Planar TransistorDescriptionLow frequency power amplifier complementary pair with HSB649ATO-126MLAbsolute Maximum Ratings (TA=25C) Maximum TemperaturesStorage Temperature............................................................

 9.1. Size:49K  hsmc
 hsd667a.pdf pdf_icon

HSD669AT

Spec. No. : HE6510HI-SINCERITYIssued Date : 1996.07.15Revised Date : 2004.08.16MICROELECTRONICS CORP.Page No. : 1/5HSD667ASILICON NPN EPITAXIALDescriptionLow Frequency Power Amplifier Complementary Pair With HSB647A.TO-92Absolute Maximum Ratings Maximum TemperaturesStorage Temperature ..................................................................................

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