HSD882 Todos los transistores

 

HSD882 . Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características


   Número de Parte: HSD882
   Material: Si
   Polaridad de transistor: NPN

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS


   Disipación total del dispositivo (Pc): 10 W
   Tensión colector-base (Vcb): 40 V
   Tensión colector-emisor (Vce): 30 V
   Tensión emisor-base (Veb): 5 V
   Corriente del colector DC máxima (Ic): 3 A
   Temperatura operativa máxima (Tj): 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS


   Transición de frecuencia (ft): 90 MHz
   Capacitancia de salida (Cc): 45 pF
   Ganancia de corriente contínua (hfe): 100
   Paquete / Cubierta: TO-126ML
 

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HSD882 Datasheet (PDF)

 ..1. Size:50K  hsmc
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HSD882

Spec. No. : HE6004HI-SINCERITYIssued Date : 1998.03.15Revised Date : 2005.08.15MICROELECTRONICS CORP.Page No. : 1/5HSD882NPN EPITAXIAL PLANAR TRANSISTORDescriptionThe HSD882 is designed for using in output stage of 1w audio amplifier, voltageregulator, DC-DC converter and relay driver.TO-126MLAbsolute Maximum Ratings (TA=25C) Maximum TemperaturesStorage Temperat

 0.1. Size:55K  hsmc
 hsd882s.pdf pdf_icon

HSD882

Spec. No. : HE6544HI-SINCERITYIssued Date : 1992.11.25Revised Date : 2006.07.28MICROELECTRONICS CORP.Page No. : 1/5HSD882SNPN Epitaxial Planar TransistorDescriptionThe HSD882S is suited for the output stage of 0.75W audio, voltage regulator, and relaydriver.TO-92Absolute Maximum Ratings Maximum TemperaturesStorage Temperature.......................................

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History: 2SC4098

 

 
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