HTIP42C Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características
Número de Parte: HTIP42C
Material: Si
Polaridad de transistor: PNP
ESPECIFICACIONES MÁXIMAS
Disipación total del dispositivo (Pc): 65 W
Tensión colector-base (Vcb): 100 V
Tensión colector-emisor (Vce): 100 V
Tensión emisor-base (Veb): 5 V
Corriente del colector DC máxima (Ic): 6 A
Temperatura operativa máxima (Tj): 150 °C
CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS
Transición de frecuencia (fT): 3 MHz
Ganancia de corriente contínua (hFE): 15
Encapsulados: TO-220AB
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HTIP42C datasheet
htip42c.pdf
Spec. No. HE6733 HI-SINCERITY Issued Date 1994.08.10 Revised Date 2004.11.19 MICROELECTRONICS CORP. Page No. 1/4 HTIP42C PNP EPITAXIAL PLANAR TRANSISTOR Description The HTIP42C is designed for use in general purpose amplifier and switching applications. TO-220 Absolute Maximum Ratings (TA=25 C) Maximum Temperatures Storage Temperature .................................
htip41c.pdf
Spec. No. HE6707 HI-SINCERITY Issued Date 1993.01.13 Revised Date 2004.11.19 MICROELECTRONICS CORP. Page No. 1/4 HTIP41C NPN EPITAXIAL PLANAR TRANSISTOR Description The HTIP41C is designed for use in general purpose amplifier and switching applications. TO-220 Absolute Maximum Ratings (TA=25 C) Maximum Temperatures Storage Temperature .................................
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