CCN83 Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características
Número de Parte: CCN83
Material: Si
Polaridad de transistor: NPN
ESPECIFICACIONES MÁXIMAS
Disipación total del dispositivo (Pc): 0.9 W
Tensión colector-base (Vcb): 95 V
Tensión colector-emisor (Vce): 20 V
Tensión emisor-base (Veb): 6 V
Corriente del colector DC máxima (Ic): 3 A
Temperatura operativa máxima (Tj): 150 °C
CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS
Transición de frecuencia (fT): 120 MHz
Capacitancia de salida (Cc): 45 pF
Ganancia de corriente contínua (hFE): 100
Encapsulados: TO-92
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CCN83 datasheet
ccn83.pdf
Continental Device India Limited An ISO/TS 16949, ISO 9001 and ISO 14001 Certified Company NPN SILICON PLANAR EPITAXIAL TRANSISTOR CCN83 TO-92 Plastic Package B C E Any High Current Driver Application Requiring Efficient Low Loss Device ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS DESCRIPTION SYMBOL VALUE UNITS VCEO Collector Emitter Voltage 20 V VCBO Collector Base Voltage 95 V VEBO Emitter Base V
Otros transistores... CC337-25 , CC337-40 , CC337A , CC338 , CC338-16 , CC338-25 , CC338-40 , CC5401 , 431 , CD1207 , CD13001 , CD13005 , CD1585BC , CD1585BCA , CD2328A , CD2328O , CD2328Y .
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Liste
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BJT: GA1A4M | SBT42 | 2SA200-Y | 2SA200-O | 2SD882-Q | 2SD882-P | 2SD882-E | 2SC945-L | 2SC945-H | 2SC4226-R23 | 2SC3357-F | 2SC3357-E | 2SC3356-R26 | 2SC3356-R24 | 2SC3356-R23 | 2SB772-Q | 2SB772-P | 2SB772-E | 2SA1015-L | 2SA1015-H | HSS8550
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