Биполярный транзистор CCN83 - описание производителя. Основные параметры. Даташиты.
Наименование производителя: CCN83
Тип материала: Si
Полярность: NPN
Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 0.9 W
Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 95 V
Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 20 V
Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 6 V
Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 3 A
Предельная температура PN-перехода (Tj): 150 °C
Граничная частота коэффициента передачи тока (ft): 120 MHz
Ёмкость коллекторного перехода (Cc): 45 pf
Статический коэффициент передачи тока (hfe): 100
Корпус транзистора: TO-92
CCN83 Datasheet (PDF)
..1. Size:114K cdil
ccn83.pdf
ccn83.pdf
Continental Device India LimitedAn ISO/TS 16949, ISO 9001 and ISO 14001 Certified CompanyNPN SILICON PLANAR EPITAXIAL TRANSISTOR CCN83TO-92Plastic PackageBCEAny High Current Driver Application Requiring Efficient Low Loss DeviceABSOLUTE MAXIMUM RATINGSDESCRIPTION SYMBOL VALUE UNITSVCEOCollector Emitter Voltage 20 VVCBOCollector Base Voltage 95 VVEBOEmitter Base V
Другие транзисторы... 2N3200 , 2N3201 , 2N3202 , 2N3203 , 2N3204 , 2N3205 , 2N3206 , 2N3207 , B772 , 2N3209 , 2N3209AQF , 2N3209CSM , 2N3209DCSM , 2N3209L , 2N321 , 2N3210 , 2N3211 .
