CD8550B Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características
Número de Parte: CD8550B
Material: Si
Polaridad de transistor: PNP
ESPECIFICACIONES MÁXIMAS
Disipación total del dispositivo (Pc): 1 W
Tensión colector-base (Vcb): 40 V
Tensión colector-emisor (Vce): 25 V
Tensión emisor-base (Veb): 6 V
Corriente del colector DC máxima (Ic): 0.7 A
Temperatura operativa máxima (Tj): 125 °C
CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS
Transición de frecuencia (fT): 100 MHz
Capacitancia de salida (Cc): 35 pF
Ganancia de corriente contínua (hFE): 85
Encapsulados: TO-92
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CD8550B datasheet
cd8550.pdf
Continental Device India Limited An ISO/TS 16949, ISO 9001 and ISO 14001 Certified Company PNP SILICON PLANAR TRANSISTOR CD8550 TO-92 CBE ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS DESCRIPTION SYMBOL VALUE UNIT Collector -Emitter Voltage VCEO 25 V Collector -Base Voltage VCBO 40 V Emitter Base Voltage VEBO 6.0 V Collector Current IC 2.0 A Collector Power Dissipation PC 1.0 W Operating And Storage Ju
Otros transistores... CD2328A , CD2328O , CD2328Y , CD2383 , CD2383O , CD2383R , CD2383Y , CD8550 , 2SC5200 , CD8550C , CD8550D , CD9011 , CD9011D , CD9011E , CD9011F , CD9011G , CD9011H .
History: C44H4 | BCP5216
🌐 : EN ES РУ
Liste
Recientemente añadidas las descripciónes de los transistores:
BJT: GA1A4M | SBT42 | 2SA200-Y | 2SA200-O | 2SD882-Q | 2SD882-P | 2SD882-E | 2SC945-L | 2SC945-H | 2SC4226-R23 | 2SC3357-F | 2SC3357-E | 2SC3356-R26 | 2SC3356-R24 | 2SC3356-R23 | 2SB772-Q | 2SB772-P | 2SB772-E | 2SA1015-L | 2SA1015-H | HSS8550
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