Биполярный транзистор CD8550B - описание производителя. Основные параметры. Даташиты.
Наименование производителя: CD8550B
Тип материала: Si
Полярность: PNP
Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 1 W
Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 40 V
Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 25 V
Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 6 V
Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 0.7 A
Предельная температура PN-перехода (Tj): 125 °C
Граничная частота коэффициента передачи тока (ft): 100 MHz
Ёмкость коллекторного перехода (Cc): 35 pf
Статический коэффициент передачи тока (hfe): 85
Корпус транзистора: TO-92
CD8550B Datasheet (PDF)
8.1. Size:173K cdil
cd8550.pdf
cd8550.pdf
Continental Device India LimitedAn ISO/TS 16949, ISO 9001 and ISO 14001 Certified CompanyPNP SILICON PLANAR TRANSISTOR CD8550 TO-92CBEABSOLUTE MAXIMUM RATINGSDESCRIPTION SYMBOL VALUE UNITCollector -Emitter Voltage VCEO 25 VCollector -Base Voltage VCBO 40 VEmitter Base Voltage VEBO 6.0 VCollector Current IC 2.0 ACollector Power Dissipation PC 1.0 WOperating And Storage Ju
Другие транзисторы... 2SA1801 , 2SA1802 , 2SA1802A , 2SA1803 , 2SA1803O , 2SA1803R , 2SA1804 , 2SA1804O , TIP31C , 2SA1805 , 2SA1805O , 2SA1805R , 2SA1806 , 2SA181 , 2SA1810 , 2SA1810B , 2SA1810C .
