P2N2907 Todos los transistores

 

P2N2907 . Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características


   Número de Parte: P2N2907
   Material: Si
   Polaridad de transistor: PNP

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS


   Disipación total del dispositivo (Pc): 0.625 W
   Tensión colector-base (Vcb): 75 V
   Tensión colector-emisor (Vce): 40 V
   Tensión emisor-base (Veb): 6 V
   Corriente del colector DC máxima (Ic): 0.6 A
   Temperatura operativa máxima (Tj): 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS


   Transición de frecuencia (ft): 200 MHz
   Capacitancia de salida (Cc): 8 pF
   Ganancia de corriente contínua (hfe): 35
   Paquete / Cubierta: TO-92

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P2N2907 Datasheet (PDF)

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Continental Device India LimitedAn ISO/TS 16949, ISO 9001 and ISO 14001 Certified CompanyPNP SILICON PLANAR EPITAXIAL TRANSISTORS P2N2907P2N2907ATO-92Plastic PackageECBDesigned for switching and linear applications, DC amplifier and driver for industrial applicationsABSOLUTE MAXIMUM RATINGS (Ta=25C Unless Specified Otherwise)DESCRIPTION SYMBOL P2N2907 P2N2907A UNITVCEO

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MOTOROLAOrder this documentSEMICONDUCTOR TECHNICAL DATAby P2N2907A/DAmplifier TransistorPNP SiliconP2N2907ACOLLECTOR12BASE3EMITTERMAXIMUM RATINGSRating Symbol Value Unit12CollectorEmitter Voltage VCEO 60 Vdc 3CollectorBase Voltage VCBO 60 VdcCASE 2904, STYLE 17EmitterBase Voltage VEBO 5.0 VdcTO92 (TO226AA)Collector Current

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P2N2907AAmplifier TransistorPNP SiliconFeatures These are Pb--Free Devices*http://onsemi.comCOLLECTOR1MAXIMUM RATINGSRating Symbol Value Unit2BASECollector--Emitter Voltage VCEO --60 VdcCollector--Base Voltage VCBO --60 Vdc3Emitter--Base Voltage VEBO --5.0 VdcEMITTERCollector Current -- Continuous IC --600 mAdcTotal Device Dissipation @ TA =25C PD 625 mW

Otros transistores... 2N3200 , 2N3201 , 2N3202 , 2N3203 , 2N3204 , 2N3205 , 2N3206 , 2N3207 , B772 , 2N3209 , 2N3209AQF , 2N3209CSM , 2N3209DCSM , 2N3209L , 2N321 , 2N3210 , 2N3211 .

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