P2N2907 Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

Número de Parte: P2N2907

Material: Si

Polaridad de transistor: PNP

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

Disipación total del dispositivo (Pc): 0.625 W

Tensión colector-base (Vcb): 75 V

Tensión colector-emisor (Vce): 40 V

Tensión emisor-base (Veb): 6 V

Corriente del colector DC máxima (Ic): 0.6 A

Temperatura operativa máxima (Tj): 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

Transición de frecuencia (fT): 200 MHz

Capacitancia de salida (Cc): 8 pF

Ganancia de corriente contínua (hFE): 35

Encapsulados: TO-92

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P2N2907 datasheet

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P2N2907

Continental Device India Limited An ISO/TS 16949, ISO 9001 and ISO 14001 Certified Company PNP SILICON PLANAR EPITAXIAL TRANSISTORS P2N2907 P2N2907A TO-92 Plastic Package E CB Designed for switching and linear applications, DC amplifier and driver for industrial applications ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS (Ta=25 C Unless Specified Otherwise) DESCRIPTION SYMBOL P2N2907 P2N2907A UNIT VCEO

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P2N2907

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P2N2907

P2N2907A Amplifier Transistor PNP Silicon Features These are Pb--Free Devices* http //onsemi.com COLLECTOR 1 MAXIMUM RATINGS Rating Symbol Value Unit 2 BASE Collector--Emitter Voltage VCEO --60 Vdc Collector--Base Voltage VCBO --60 Vdc 3 Emitter--Base Voltage VEBO --5.0 Vdc EMITTER Collector Current -- Continuous IC --600 mAdc Total Device Dissipation @ TA =25 C PD 625 mW

Otros transistores... CSC2562, CSC2562O, CSC2562Y, CSC3039, CSD73, CSD73O, CSD73Y, P2N2222, BD333, SJE1349, BD240CBP, BF469, C13003, C2688BPL, C42C2, C43C2, C44C11