P2N2907 Todos los transistores

 

P2N2907 . Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características


   Número de Parte: P2N2907
   Material: Si
   Polaridad de transistor: PNP

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS


   Disipación total del dispositivo (Pc): 0.625 W
   Tensión colector-base (Vcb): 75 V
   Tensión colector-emisor (Vce): 40 V
   Tensión emisor-base (Veb): 6 V
   Corriente del colector DC máxima (Ic): 0.6 A
   Temperatura operativa máxima (Tj): 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS


   Transición de frecuencia (ft): 200 MHz
   Capacitancia de salida (Cc): 8 pF
   Ganancia de corriente contínua (hfe): 35
   Paquete / Cubierta: TO-92
 

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P2N2907 Datasheet (PDF)

 ..1. Size:91K  cdil
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P2N2907

Continental Device India LimitedAn ISO/TS 16949, ISO 9001 and ISO 14001 Certified CompanyPNP SILICON PLANAR EPITAXIAL TRANSISTORS P2N2907P2N2907ATO-92Plastic PackageECBDesigned for switching and linear applications, DC amplifier and driver for industrial applicationsABSOLUTE MAXIMUM RATINGS (Ta=25C Unless Specified Otherwise)DESCRIPTION SYMBOL P2N2907 P2N2907A UNITVCEO

 0.1. Size:240K  motorola
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P2N2907

MOTOROLAOrder this documentSEMICONDUCTOR TECHNICAL DATAby P2N2907A/DAmplifier TransistorPNP SiliconP2N2907ACOLLECTOR12BASE3EMITTERMAXIMUM RATINGSRating Symbol Value Unit12CollectorEmitter Voltage VCEO 60 Vdc 3CollectorBase Voltage VCBO 60 VdcCASE 2904, STYLE 17EmitterBase Voltage VEBO 5.0 VdcTO92 (TO226AA)Collector Current

 0.2. Size:162K  onsemi
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P2N2907

P2N2907AAmplifier TransistorPNP SiliconFeatures These are Pb--Free Devices*http://onsemi.comCOLLECTOR1MAXIMUM RATINGSRating Symbol Value Unit2BASECollector--Emitter Voltage VCEO --60 VdcCollector--Base Voltage VCBO --60 Vdc3Emitter--Base Voltage VEBO --5.0 VdcEMITTERCollector Current -- Continuous IC --600 mAdcTotal Device Dissipation @ TA =25C PD 625 mW

Otros transistores... CSC2562 , CSC2562O , CSC2562Y , CSC3039 , CSD73 , CSD73O , CSD73Y , P2N2222 , BD777 , SJE1349 , BD240CBP , BF469 , C13003 , C2688BPL , C42C2 , C43C2 , C44C11 .

 

 
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