P2N2907. Аналоги и основные параметры

Наименование производителя: P2N2907

Тип материала: Si

Полярность: PNP

Предельные значения

Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 0.625 W

Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 75 V

Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 40 V

Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 6 V

Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 0.6 A

Предельная температура PN-перехода (Tj): 150 °C

Электрические характеристики

Граничная частота коэффициента передачи тока (ft): 200 MHz

Ёмкость коллекторного перехода (Cc): 8 pf

Статический коэффициент передачи тока (hFE): 35

Корпус транзистора: TO-92

 Аналоги (замена) для P2N2907

- подборⓘ биполярного транзистора по параметрам

 

P2N2907 даташит

 ..1. Size:91K  cdil
 p2n2907 a.pdf pdf_icon

P2N2907

Continental Device India Limited An ISO/TS 16949, ISO 9001 and ISO 14001 Certified Company PNP SILICON PLANAR EPITAXIAL TRANSISTORS P2N2907 P2N2907A TO-92 Plastic Package E CB Designed for switching and linear applications, DC amplifier and driver for industrial applications ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS (Ta=25 C Unless Specified Otherwise) DESCRIPTION SYMBOL P2N2907 P2N2907A UNIT VCEO

 0.1. Size:240K  motorola
 mtp2n2907a.pdf pdf_icon

P2N2907

 0.2. Size:162K  onsemi
 p2n2907a.pdf pdf_icon

P2N2907

P2N2907A Amplifier Transistor PNP Silicon Features These are Pb--Free Devices* http //onsemi.com COLLECTOR 1 MAXIMUM RATINGS Rating Symbol Value Unit 2 BASE Collector--Emitter Voltage VCEO --60 Vdc Collector--Base Voltage VCBO --60 Vdc 3 Emitter--Base Voltage VEBO --5.0 Vdc EMITTER Collector Current -- Continuous IC --600 mAdc Total Device Dissipation @ TA =25 C PD 625 mW

Другие транзисторы: CSC2562, CSC2562O, CSC2562Y, CSC3039, CSD73, CSD73O, CSD73Y, P2N2222, BD333, SJE1349, BD240CBP, BF469, C13003, C2688BPL, C42C2, C43C2, C44C11