Биполярный транзистор P2N2907 - описание производителя. Основные параметры. Даташиты.
Наименование производителя: P2N2907
Тип материала: Si
Полярность: PNP
Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 0.625 W
Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 75 V
Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 40 V
Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 6 V
Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 0.6 A
Предельная температура PN-перехода (Tj): 150 °C
Граничная частота коэффициента передачи тока (ft): 200 MHz
Ёмкость коллекторного перехода (Cc): 8 pf
Статический коэффициент передачи тока (hfe): 35
Корпус транзистора: TO-92
P2N2907 Datasheet (PDF)
p2n2907 a.pdf
Continental Device India LimitedAn ISO/TS 16949, ISO 9001 and ISO 14001 Certified CompanyPNP SILICON PLANAR EPITAXIAL TRANSISTORS P2N2907P2N2907ATO-92Plastic PackageECBDesigned for switching and linear applications, DC amplifier and driver for industrial applicationsABSOLUTE MAXIMUM RATINGS (Ta=25C Unless Specified Otherwise)DESCRIPTION SYMBOL P2N2907 P2N2907A UNITVCEO
mtp2n2907a.pdf
MOTOROLAOrder this documentSEMICONDUCTOR TECHNICAL DATAby P2N2907A/DAmplifier TransistorPNP SiliconP2N2907ACOLLECTOR12BASE3EMITTERMAXIMUM RATINGSRating Symbol Value Unit12CollectorEmitter Voltage VCEO 60 Vdc 3CollectorBase Voltage VCBO 60 VdcCASE 2904, STYLE 17EmitterBase Voltage VEBO 5.0 VdcTO92 (TO226AA)Collector Current
p2n2907a.pdf
P2N2907AAmplifier TransistorPNP SiliconFeatures These are Pb--Free Devices*http://onsemi.comCOLLECTOR1MAXIMUM RATINGSRating Symbol Value Unit2BASECollector--Emitter Voltage VCEO --60 VdcCollector--Base Voltage VCBO --60 Vdc3Emitter--Base Voltage VEBO --5.0 VdcEMITTERCollector Current -- Continuous IC --600 mAdcTotal Device Dissipation @ TA =25C PD 625 mW
Другие транзисторы... 2SA1801 , 2SA1802 , 2SA1802A , 2SA1803 , 2SA1803O , 2SA1803R , 2SA1804 , 2SA1804O , TIP31C , 2SA1805 , 2SA1805O , 2SA1805R , 2SA1806 , 2SA181 , 2SA1810 , 2SA1810B , 2SA1810C .
