CL100A . Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características
Número de Parte: CL100A
Material: Si
Polaridad de transistor: NPN
ESPECIFICACIONES MÁXIMAS
Disipación total del dispositivo (Pc): 0.8 W
Tensión colector-base (Vcb): 60 V
Tensión colector-emisor (Vce): 50 V
Tensión emisor-base (Veb): 5 V
Corriente del colector DC máxima (Ic): 1 A
Temperatura operativa máxima (Tj): 200 °C
CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS
Ganancia de corriente contínua (hfe): 40
Paquete / Cubierta: TO-39
Búsqueda de reemplazo de CL100A
CL100A Datasheet (PDF)
cl100s ck100s.pdf

Continental Device India LimitedAn ISO/TS 16949, ISO 9001 and ISO 14001 Certified CompanyNPN/PNP SILICON PLANAR TRANSISTORS CL100S NPNCK100S PNPTO-39ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS DESCRIPTION SYMBOL VALUE UNITCollector -Emitter Voltage VCEO 50 VCollector -Base Voltage VCBO 60 VEmitter Base Voltage VEBO 5.0 VCollector Current ICM 1.0 APower Dissipation @ Ta=25 deg C PD 800 mWDe
cl100 ck100 a b.pdf

Continental Device India LimitedAn ISO/TS 16949, ISO 9001 and ISO 14001 Certified CompanySILICON PLANAR POWER TRANSISTORS CL100, A, B NPNCK100, A, B PNPTO-39Metal Can PackageMedium Power Transistors Suitable for a wide Range of Medium Voltage and Current Amplifier ApplicationsABSOLUTE MAXIMUM RATINGSDESCRIPTION SYMBOL VALUE UNITSVCERCollector Emitter Voltage 50 VVCBOCo
Otros transistores... CJF32C , CJF44H11 , CJF45H11 , CJF6107 , CJF6388 , CJF6668 , CK100B , CK100S , 9014 , CL100B , CL100S , CLB764 , CLD667 , CLD667A , CLD863 , CMBA847E , CMBA847F .
History: BC418A | D38S6 | BSW18
History: BC418A | D38S6 | BSW18



Liste
Recientemente añadidas las descripciónes de los transistores:
BJT: GA1A4M | SBT42 | 2SA200-Y | 2SA200-O | 2SD882-Q | 2SD882-P | 2SD882-E | 2SC945-L | 2SC945-H | 2SC4226-R23 | 2SC3357-F | 2SC3357-E | 2SC3356-R26 | 2SC3356-R24 | 2SC3356-R23 | 2SB772-Q | 2SB772-P | 2SB772-E | 2SA1015-L | 2SA1015-H | HSS8550
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