CMBA857E . Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características
Número de Parte: CMBA857E
Material: Si
Polaridad de transistor: PNP
ESPECIFICACIONES MÁXIMAS
Disipación total del dispositivo (Pc): 0.2 W
Tensión colector-base (Vcb): 60 V
Tensión colector-emisor (Vce): 50 V
Tensión emisor-base (Veb): 6 V
Corriente del colector DC máxima (Ic): 0.2 A
Temperatura operativa máxima (Tj): 150 °C
CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS
Transición de frecuencia (ft): 200 MHz
Capacitancia de salida (Cc): 4 pF
Ganancia de corriente contínua (hfe): 150
Paquete / Cubierta: SOT-23
Búsqueda de reemplazo de transistor bipolar CMBA857E
CMBA857E Datasheet (PDF)
cmba857.pdf
Continental Device India LimitedAn ISO/TS 16949, ISO 9001 and ISO 14001 Certified CompanyPNP EPITAXIAL PLANAR SILICON TRANSISTOR CMBA857SOT23PIN CONFIGURATION (PNP)1 = BASE2 = EMITTER3 = COLLECTOR3MARKING : AS BELOW12ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS DESCRIPTION SYMBOL VALUE UNITCollector -Base Voltage VCBO 60 VCollector -Emitter Voltage VCEO 50 VEmitter Base Voltage VEBO
cmba847.pdf
Continental Device India LimitedAn ISO/TS 16949, ISO 9001 and ISO 14001 Certified CompanyNPN EPITAXIAL PLANAR SILICON TRANSISTOR CMBA847SOT23PIN CONFIGURATION (NPN)1 = BASE2 = EMITTER3 = COLLECTOR3 MARKING : AS BELOW12ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS DESCRIPTION SYMBOL VALUE UNITCollector -Base Voltage VCBO 50 VCollector -Emitter Voltage VCEO 50 VEmitter Base Voltage VEB
Otros transistores... 2SA1179M4 , 2SA1179M5 , 2SA1179M6 , 2SA1179M7 , 2SA118 , 2SA1180 , 2SA1180A , 2SA1182 , A1015 , 2SA1182Y , 2SA1183 , 2SA1184 , 2SA1185 , 2SA1186 , 2SA1186O , 2SA1186P , 2SA1186Y .
