CMBA857E Todos los transistores

 

CMBA857E . Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características


   Número de Parte: CMBA857E
   Material: Si
   Polaridad de transistor: PNP

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS


   Disipación total del dispositivo (Pc): 0.2 W
   Tensión colector-base (Vcb): 60 V
   Tensión colector-emisor (Vce): 50 V
   Tensión emisor-base (Veb): 6 V
   Corriente del colector DC máxima (Ic): 0.2 A
   Temperatura operativa máxima (Tj): 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS


   Transición de frecuencia (ft): 200 MHz
   Capacitancia de salida (Cc): 4 pF
   Ganancia de corriente contínua (hfe): 150
   Paquete / Cubierta: SOT-23
 

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CMBA857E Datasheet (PDF)

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CMBA857E

Continental Device India LimitedAn ISO/TS 16949, ISO 9001 and ISO 14001 Certified CompanyPNP EPITAXIAL PLANAR SILICON TRANSISTOR CMBA857SOT23PIN CONFIGURATION (PNP)1 = BASE2 = EMITTER3 = COLLECTOR3MARKING : AS BELOW12ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS DESCRIPTION SYMBOL VALUE UNITCollector -Base Voltage VCBO 60 VCollector -Emitter Voltage VCEO 50 VEmitter Base Voltage VEBO

 9.1. Size:129K  cdil
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CMBA857E

Continental Device India LimitedAn ISO/TS 16949, ISO 9001 and ISO 14001 Certified CompanyNPN EPITAXIAL PLANAR SILICON TRANSISTOR CMBA847SOT23PIN CONFIGURATION (NPN)1 = BASE2 = EMITTER3 = COLLECTOR3 MARKING : AS BELOW12ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS DESCRIPTION SYMBOL VALUE UNITCollector -Base Voltage VCBO 50 VCollector -Emitter Voltage VCEO 50 VEmitter Base Voltage VEB

Otros transistores... CL100S , CLB764 , CLD667 , CLD667A , CLD863 , CMBA847E , CMBA847F , CMBA847G , 13005 , CMBA857F , CMBT200 , CMBT200A , CMBT2369 , CMBT2484 , CMBT4123 , CMBT4124 , CMBT4125 .

History: 2N365 | 2SC2252 | D34DJ3 | BDX65C | BFJ52 | 2N21 | KT3139V

 

 
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