Справочник транзисторов. CMBA857E

 

Биполярный транзистор CMBA857E Даташит. Аналоги


   Наименование производителя: CMBA857E
   Тип материала: Si
   Полярность: PNP
   Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 0.2 W
   Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 60 V
   Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 50 V
   Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 6 V
   Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 0.2 A
   Предельная температура PN-перехода (Tj): 150 °C
   Граничная частота коэффициента передачи тока (ft): 200 MHz
   Ёмкость коллекторного перехода (Cc): 4 pf
   Статический коэффициент передачи тока (hfe): 150
   Корпус транзистора: SOT-23
 

 Аналог (замена) для CMBA857E

   - подбор ⓘ биполярного транзистора по параметрам

 

CMBA857E Datasheet (PDF)

 7.1. Size:129K  cdil
 cmba857.pdf pdf_icon

CMBA857E

Continental Device India LimitedAn ISO/TS 16949, ISO 9001 and ISO 14001 Certified CompanyPNP EPITAXIAL PLANAR SILICON TRANSISTOR CMBA857SOT23PIN CONFIGURATION (PNP)1 = BASE2 = EMITTER3 = COLLECTOR3MARKING : AS BELOW12ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS DESCRIPTION SYMBOL VALUE UNITCollector -Base Voltage VCBO 60 VCollector -Emitter Voltage VCEO 50 VEmitter Base Voltage VEBO

 9.1. Size:129K  cdil
 cmba847.pdf pdf_icon

CMBA857E

Continental Device India LimitedAn ISO/TS 16949, ISO 9001 and ISO 14001 Certified CompanyNPN EPITAXIAL PLANAR SILICON TRANSISTOR CMBA847SOT23PIN CONFIGURATION (NPN)1 = BASE2 = EMITTER3 = COLLECTOR3 MARKING : AS BELOW12ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS DESCRIPTION SYMBOL VALUE UNITCollector -Base Voltage VCBO 50 VCollector -Emitter Voltage VCEO 50 VEmitter Base Voltage VEB

Другие транзисторы... CL100S , CLB764 , CLD667 , CLD667A , CLD863 , CMBA847E , CMBA847F , CMBA847G , 13005 , CMBA857F , CMBT200 , CMBT200A , CMBT2369 , CMBT2484 , CMBT4123 , CMBT4124 , CMBT4125 .

History: 3CA649A | BDW10 | NA32LJ | BUS133A | CC337-16 | BC388 | DW6737

 

 
Back to Top

 


 
.