CMBT6520 Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características
Número de Parte: CMBT6520 📄📄
Material: Si
Polaridad de transistor: PNP
ESPECIFICACIONES MÁXIMAS
Disipación total del dispositivo (Pc): 0.225 W
Tensión colector-base (Vcb): 350 V
Tensión colector-emisor (Vce): 350 V
Tensión emisor-base (Veb): 5 V
Corriente del colector DC máxima (Ic): 0.5 A
Temperatura operativa máxima (Tj): 150 °C
CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS
Transición de frecuencia (fT): 20 MHz
Capacitancia de salida (Cc): 6 pF
Ganancia de corriente contínua (hFE): 20
Encapsulados: SOT-23
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CMBT6520 datasheet
cmbt6517.pdf
Continental Device India Limited An ISO/TS 16949, ISO 9001 and ISO 14001 Certified Company SOT-23 Formed SMD Package CMBT6517 HIGH VOLTAGE TRANSISTOR N P N transistor Marking PACKAGE OUTLINE DETAILS CMBT6517 = 1Z ALL DIMENSIONS IN mm Pin configuration 1 = BASE 2 = EMITTER 3 = COLLECTOR 3 1 2 ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS Collector base voltage (open emitter) VCBO max. 35
Otros transistores... CMBT5087, CMBT5088, CMBT5089, CMBT5400, CMBT5401, CMBT5550, CMBT5551, CMBT6517, BC639, CMBT8050, CMBT8050C, CMBT8050D, CMBT8050E, CMBT8098, CMBT8099, CMBT847E, CMBT847F
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Liste
Recientemente añadidas las descripciónes de los transistores:
BJT: GA1A4M | SBT42 | 2SA200-Y | 2SA200-O | 2SD882-Q | 2SD882-P | 2SD882-E | 2SC945-L | 2SC945-H | 2SC4226-R23 | 2SC3357-F | 2SC3357-E | 2SC3356-R26 | 2SC3356-R24 | 2SC3356-R23 | 2SB772-Q | 2SB772-P | 2SB772-E | 2SA1015-L | 2SA1015-H | HSS8550
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