CN8550D Todos los transistores

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CN8550D . Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

Número de Parte: CN8550D

Material: Si

Polaridad de transistor: PNP

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

Disipación total del dispositivo (Pc): 0.625 W

Tensión colector-base (Vcb): 40 V

Tensión colector-emisor (Vce): 25 V

Tensión emisor-base (Veb): 6 V

Corriente del colector DC máxima (Ic): 0.8 A

Temperatura operativa máxima (Tj): 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

Producto de corriente -- ganancia — ancho de banda (ft): 100 MHz

Capacitancia de salida (Cc): 35 pF

Ganancia de corriente contínua (hfe): 160

Empaquetado / Estuche: TO-92

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CN8550D Datasheet (PDF)

4.1. cn8050 cn8550 c d.pdf Size:227K _cdil

CN8550D
CN8550D

Continental Device India Limited An ISO/TS 16949, ISO 9001 and ISO 14001 Certified Company SILICON PLANAR EPITAXIAL TRANSISTORS CN8050 NPN CN8550 PNP TO-92 Plastic Package C B E ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS DESCRIPTION SYMBOL VALUE UNITS VCEO Collector Emitter Voltage 25 V VCBO Collector Base Voltage 40 V VEBO Emitter Base Voltage 6.0 V IC Collector Current 800 mA ICM Peak Collecto

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