CSB1181 . Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características
Número de Parte: CSB1181
Material: Si
Polaridad de transistor: PNP
ESPECIFICACIONES MÁXIMAS
Disipación total del dispositivo (Pc): 10 W
Tensión colector-emisor (Vce): 80 V
Corriente del colector DC máxima (Ic): 1 A
CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS
Transición de frecuencia (ft): 100 MHz
Ganancia de corriente contínua (hfe): 82
Paquete / Cubierta: TO-252 DPAK
- Selección de transistores por parámetros
CSB1181 Datasheet (PDF)
csb1116.pdf

Continental Device India LimitedAn ISO/TS 16949, ISO 9001 and ISO 14001 Certified CompanyPNP EPITAXIAL PLANAR SILICON TRANSISTOR CSB1116CSB1116ATO-92BCEBCEAudio Frequency Power Amplifier And Medium Speed SwitchingComplementary CSD1616/1616AABSOLUTE MAXIMUM RATINGS(Ta=25 deg C)DESCRIPTION SYMBOL CSB1116 CSB1116A UNITCollector -Base Voltage VCBO 60 80 VCollector -Emitt
Otros transistores... 2N3200 , 2N3201 , 2N3202 , 2N3203 , 2N3204 , 2N3205 , 2N3206 , 2N3207 , B772 , 2N3209 , 2N3209AQF , 2N3209CSM , 2N3209DCSM , 2N3209L , 2N321 , 2N3210 , 2N3211 .
History: DDTC143FCA | DDTC143FKA | DMA364A1 | 2SC4958 | PBLS4001V | DMA364A6 | 17521
History: DDTC143FCA | DDTC143FKA | DMA364A1 | 2SC4958 | PBLS4001V | DMA364A6 | 17521



Liste
Recientemente añadidas las descripciónes de los transistores:
BJT: GA1A4M | SBT42 | 2SA200-Y | 2SA200-O | 2SD882-Q | 2SD882-P | 2SD882-E | 2SC945-L | 2SC945-H | 2SC4226-R23 | 2SC3357-F | 2SC3357-E | 2SC3356-R26 | 2SC3356-R24 | 2SC3356-R23 | 2SB772-Q | 2SB772-P | 2SB772-E | 2SA1015-L | 2SA1015-H | HSS8550
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