CSB1181 . Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características
Número de Parte: CSB1181
Material: Si
Polaridad de transistor: PNP
ESPECIFICACIONES MÁXIMAS
Disipación total del dispositivo (Pc): 10 W
Tensión colector-emisor (Vce): 80 V
Corriente del colector DC máxima (Ic): 1 A
CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS
Transición de frecuencia (ft): 100 MHz
Ganancia de corriente contínua (hfe): 82
Paquete / Cubierta: TO-252 DPAK
Búsqueda de reemplazo de transistor bipolar CSB1181
CSB1181 Datasheet (PDF)
csb1116.pdf
Continental Device India LimitedAn ISO/TS 16949, ISO 9001 and ISO 14001 Certified CompanyPNP EPITAXIAL PLANAR SILICON TRANSISTOR CSB1116CSB1116ATO-92BCEBCEAudio Frequency Power Amplifier And Medium Speed SwitchingComplementary CSD1616/1616AABSOLUTE MAXIMUM RATINGS(Ta=25 deg C)DESCRIPTION SYMBOL CSB1116 CSB1116A UNITCollector -Base Voltage VCBO 60 80 VCollector -Emitt
Otros transistores... 2SA1771 , 2SA178 , 2SA1790 , 2SA1791 , 2SA1792 , 2SA1793 , 2SA1794 , 2SA1795 , BC557 , 2SA1799 , 2SA17H , 2SA18 , 2SA180 , 2SA1800 , 2SA1800O , 2SA1800R , 2SA1800Y .
Liste
Recientemente añadidas las descripciónes de los transistores:
BJT: SBT42 | 2SA200-Y | 2SA200-O | 2SD882-Q | 2SD882-P | 2SD882-E | 2SC945-L | 2SC945-H | 2SC4226-R23 | 2SC3357-F | 2SC3357-E | 2SC3356-R26 | 2SC3356-R24 | 2SC3356-R23 | 2SB772-Q | 2SB772-P | 2SB772-E | 2SA1015-L | 2SA1015-H | HSS8550 | HSS8050