Биполярный транзистор CSB1181 - описание производителя. Основные параметры. Даташиты.
Наименование производителя: CSB1181
Тип материала: Si
Полярность: PNP
Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 10 W
Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 80 V
Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 1 A
Граничная частота коэффициента передачи тока (ft): 100 MHz
Статический коэффициент передачи тока (hfe): 82
Корпус транзистора: TO-252 DPAK
CSB1181 Datasheet (PDF)
9.1. Size:263K cdil
csb1116.pdf
csb1116.pdf
Continental Device India LimitedAn ISO/TS 16949, ISO 9001 and ISO 14001 Certified CompanyPNP EPITAXIAL PLANAR SILICON TRANSISTOR CSB1116CSB1116ATO-92BCEBCEAudio Frequency Power Amplifier And Medium Speed SwitchingComplementary CSD1616/1616AABSOLUTE MAXIMUM RATINGS(Ta=25 deg C)DESCRIPTION SYMBOL CSB1116 CSB1116A UNITCollector -Base Voltage VCBO 60 80 VCollector -Emitt
Другие транзисторы... 2SA1771 , 2SA178 , 2SA1790 , 2SA1791 , 2SA1792 , 2SA1793 , 2SA1794 , 2SA1795 , 2N3906 , 2SA1799 , 2SA17H , 2SA18 , 2SA180 , 2SA1800 , 2SA1800O , 2SA1800R , 2SA1800Y .
History: 2G229 | 2SD1934
Список транзисторов
Обновления
BJT: SBT42 | 2SA200-Y | 2SA200-O | 2SD882-Q | 2SD882-P | 2SD882-E | 2SC945-L | 2SC945-H | 2SC4226-R23 | 2SC3357-F | 2SC3357-E | 2SC3356-R26 | 2SC3356-R24 | 2SC3356-R23 | 2SB772-Q | 2SB772-P | 2SB772-E | 2SA1015-L | 2SA1015-H | HSS8550 | HSS8050