CSB1370 Todos los transistores

 

CSB1370 Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características


   Número de Parte: CSB1370
   Material: Si
   Polaridad de transistor: PNP

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS


   Disipación total del dispositivo (Pc): 30 W
   Tensión colector-base (Vcb): 60 V
   Tensión colector-emisor (Vce): 60 V
   Tensión emisor-base (Veb): 5 V
   Corriente del colector DC máxima (Ic): 3 A
   Temperatura operativa máxima (Tj): 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS


   Transición de frecuencia (ft): 15 MHz
   Capacitancia de salida (Cc): 80 pF
   Ganancia de corriente contínua (hfe): 60
   Paquete / Cubierta: TO-220
 

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CSB1370 datasheet

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CSB1370

Continental Device India Limited An ISO/TS 16949, ISO 9001 and ISO 14001 Certified Company PNP SILICON EPITAXIAL POWER TRANSISTOR CSB1370 (9AW) TO-220 MARKING AS BELOW Designed For AF Power Amplifier. ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS(Ta=25deg C) DESCRIPTION SYMBOL VALUE UNIT Collector -Base Voltage VCBO 60 V Collector -Emitter Voltage VCEO 60 V Emitter- Base Voltage VEBO 5.0 V Collector C

Otros transistores... CSB1116A , CSB1116G , CSB1116L , CSB1116Y , CSB1181 , CSB1182 , CSB1184 , CSB1272 , 2N3055 , CSB1370D , CSB1370E , CSB1370F , CSB1412 , CSB1426 , CSB1426P , CSB1426Q , CSB1426R .

History: CSD362N

 

 

 


 
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