CSB1370 Todos los transistores

 

CSB1370 . Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características


   Número de Parte: CSB1370
   Material: Si
   Polaridad de transistor: PNP

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS


   Disipación total del dispositivo (Pc): 30 W
   Tensión colector-base (Vcb): 60 V
   Tensión colector-emisor (Vce): 60 V
   Tensión emisor-base (Veb): 5 V
   Corriente del colector DC máxima (Ic): 3 A
   Temperatura operativa máxima (Tj): 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS


   Transición de frecuencia (ft): 15 MHz
   Capacitancia de salida (Cc): 80 pF
   Ganancia de corriente contínua (hfe): 60
   Paquete / Cubierta: TO-220
 

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CSB1370 Datasheet (PDF)

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CSB1370

Continental Device India LimitedAn ISO/TS 16949, ISO 9001 and ISO 14001 Certified CompanyPNP SILICON EPITAXIAL POWER TRANSISTOR CSB1370(9AW)TO-220MARKING : AS BELOWDesigned For AF Power Amplifier.ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS(Ta=25deg C)DESCRIPTION SYMBOL VALUE UNITCollector -Base Voltage VCBO 60 VCollector -Emitter Voltage VCEO 60 VEmitter- Base Voltage VEBO 5.0 VCollector C

Otros transistores... CSB1116A , CSB1116G , CSB1116L , CSB1116Y , CSB1181 , CSB1182 , CSB1184 , CSB1272 , C5198 , CSB1370D , CSB1370E , CSB1370F , CSB1412 , CSB1426 , CSB1426P , CSB1426Q , CSB1426R .

History: CH3906TGP | RCA29SDH

 

 
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