CSB1426R . Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características
Número de Parte: CSB1426R
Material: Si
Polaridad de transistor: PNP
ESPECIFICACIONES MÁXIMAS
Disipación total del dispositivo (Pc): 0.75 W
Tensión colector-base (Vcb): 20 V
Tensión colector-emisor (Vce): 20 V
Tensión emisor-base (Veb): 6 V
Corriente del colector DC máxima (Ic): 3 A
Temperatura operativa máxima (Tj): 150 °C
CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS
Transición de frecuencia (ft): 240 MHz
Capacitancia de salida (Cc): 35 pF
Ganancia de corriente contínua (hfe): 180
Paquete / Cubierta: TO-92
Búsqueda de reemplazo de transistor bipolar CSB1426R
CSB1426R Datasheet (PDF)
csb1426.pdf
Continental Device India LimitedAn ISO/TS 16949, ISO 9001 and ISO 14001 Certified CompanyPNP SILICON PLANAR EPITAXIAL TRANSISTOR CSB1426TO-92Plastic PackageBCELow Frequency Power AmplifierABSOLUTE MAXIMUM RATINGS (Ta=25C unless specified otherwise)DESCRIPTION SYMBOL VALUE UNITVCEOCollector Emitter Voltage 20 VVCBOCollector Base Voltage 20 VEmitter Base Voltage VE
csb1436.pdf
Continental Device India LimitedAn ISO/TS 16949, ISO 9001 and ISO 14001 Certified CompanyPNP SILICON PLASTIC POWER TRANSISTOR CSB1436(9AW)TO126MARKING : CDILB1436RLow Freq.Power AMP.ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS(Ta=25deg C)DESCRIPTION SYMBOL VALUE UNITCollector -Base Voltage VCBO 30 VCollector -Emitter Voltage VCEO 20 VEmitter Base Voltage VEBO 6 VCollector Current (DC) I
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