CSB621AS . Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características
Número de Parte: CSB621AS
Material: Si
Polaridad de transistor: PNP
ESPECIFICACIONES MÁXIMAS
Disipación total del dispositivo (Pc): 0.75 W
Tensión colector-base (Vcb): 60 V
Tensión colector-emisor (Vce): 50 V
Tensión emisor-base (Veb): 5 V
Corriente del colector DC máxima (Ic): 1 A
Temperatura operativa máxima (Tj): 150 °C
CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS
Transición de frecuencia (ft): 200 MHz
Capacitancia de salida (Cc): 30 pF
Ganancia de corriente contínua (hfe): 170
Paquete / Cubierta: TO-92
- Selección de transistores por parámetros
CSB621AS Datasheet (PDF)
csb621 621a q r s.pdf

Continental Device India LimitedAn ISO/TS 16949, ISO 9001 and ISO 14001 Certified CompanyPNP SILICON PLANAR EPITAXIAL TRANSISTORS CSB621, CSB621ATO-92Plastic PackageBCEAF Output AmplifierABSOLUTE MAXIMUM RATINGS (Ta=25C)DESCRIPTION SYMBOL CSB621 CSB621A UNITSVCEOCollector Emitter Voltage 25 50 VVCBOCollector Base Voltage 30 60 VVEBOEmitter Base Voltage 5.0 VI
Otros transistores... 2SA1179M4 , 2SA1179M5 , 2SA1179M6 , 2SA1179M7 , 2SA118 , 2SA1180 , 2SA1180A , 2SA1182 , 2N5401 , 2SA1182Y , 2SA1183 , 2SA1184 , 2SA1185 , 2SA1186 , 2SA1186O , 2SA1186P , 2SA1186Y .
History: 2SC5020 | 2SD667A-D | DDTC144VE | DMA56100 | 2SC496R | CSB857D | 2SC489R
History: 2SC5020 | 2SD667A-D | DDTC144VE | DMA56100 | 2SC496R | CSB857D | 2SC489R



Liste
Recientemente añadidas las descripciónes de los transistores:
BJT: GA1A4M | SBT42 | 2SA200-Y | 2SA200-O | 2SD882-Q | 2SD882-P | 2SD882-E | 2SC945-L | 2SC945-H | 2SC4226-R23 | 2SC3357-F | 2SC3357-E | 2SC3356-R26 | 2SC3356-R24 | 2SC3356-R23 | 2SB772-Q | 2SB772-P | 2SB772-E | 2SA1015-L | 2SA1015-H | HSS8550
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