Биполярный транзистор CSB621AS - описание производителя. Основные параметры. Даташиты.
Наименование производителя: CSB621AS
Тип материала: Si
Полярность: PNP
Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 0.75 W
Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 60 V
Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 50 V
Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 5 V
Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 1 A
Предельная температура PN-перехода (Tj): 150 °C
Граничная частота коэффициента передачи тока (ft): 200 MHz
Ёмкость коллекторного перехода (Cc): 30 pf
Статический коэффициент передачи тока (hfe): 170
Корпус транзистора: TO-92
CSB621AS Datasheet (PDF)
8.1. Size:238K cdil
csb621 621a q r s.pdf
csb621 621a q r s.pdf
Continental Device India LimitedAn ISO/TS 16949, ISO 9001 and ISO 14001 Certified CompanyPNP SILICON PLANAR EPITAXIAL TRANSISTORS CSB621, CSB621ATO-92Plastic PackageBCEAF Output AmplifierABSOLUTE MAXIMUM RATINGS (Ta=25C)DESCRIPTION SYMBOL CSB621 CSB621A UNITSVCEOCollector Emitter Voltage 25 50 VVCBOCollector Base Voltage 30 60 VVEBOEmitter Base Voltage 5.0 VI
Другие транзисторы... 2N3200 , 2N3201 , 2N3202 , 2N3203 , 2N3204 , 2N3205 , 2N3206 , 2N3207 , B772 , 2N3209 , 2N3209AQF , 2N3209CSM , 2N3209DCSM , 2N3209L , 2N321 , 2N3210 , 2N3211 .
Список транзисторов
Обновления
BJT: SBT42 | 2SA200-Y | 2SA200-O | 2SD882-Q | 2SD882-P | 2SD882-E | 2SC945-L | 2SC945-H | 2SC4226-R23 | 2SC3357-F | 2SC3357-E | 2SC3356-R26 | 2SC3356-R24 | 2SC3356-R23 | 2SB772-Q | 2SB772-P | 2SB772-E | 2SA1015-L | 2SA1015-H | HSS8550 | HSS8050