CSB621AS. Аналоги и основные параметры

Наименование производителя: CSB621AS

Тип материала: Si

Полярность: PNP

Предельные значения

Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 0.75 W

Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 60 V

Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 50 V

Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 5 V

Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 1 A

Предельная температура PN-перехода (Tj): 150 °C

Электрические характеристики

Граничная частота коэффициента передачи тока (ft): 200 MHz

Ёмкость коллекторного перехода (Cc): 30 pf

Статический коэффициент передачи тока (hFE): 170

Корпус транзистора: TO-92

 Аналоги (замена) для CSB621AS

- подборⓘ биполярного транзистора по параметрам

 

CSB621AS даташит

 8.1. Size:238K  cdil
 csb621 621a q r s.pdf pdf_icon

CSB621AS

Continental Device India Limited An ISO/TS 16949, ISO 9001 and ISO 14001 Certified Company PNP SILICON PLANAR EPITAXIAL TRANSISTORS CSB621, CSB621A TO-92 Plastic Package B C E AF Output Amplifier ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS (Ta=25 C) DESCRIPTION SYMBOL CSB621 CSB621A UNITS VCEO Collector Emitter Voltage 25 50 V VCBO Collector Base Voltage 30 60 V VEBO Emitter Base Voltage 5.0 V I

Другие транзисторы: CSB564A, CSB564AG, CSB564AO, CSB564AY, CSB612, CSB621, CSB621A, CSB621AQ, 2SC4793, CSB621Q, CSB621R, CSB621S, CSB631, CSB631D, CSB631E, CSB631F, CSB631K