CSB621R Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

Número de Parte: CSB621R  📄📄 

Material: Si

Polaridad de transistor: PNP

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

Disipación total del dispositivo (Pc): 0.75 W

Tensión colector-base (Vcb): 30 V

Tensión colector-emisor (Vce): 25 V

Tensión emisor-base (Veb): 5 V

Corriente del colector DC máxima (Ic): 1 A

Temperatura operativa máxima (Tj): 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

Transición de frecuencia (fT): 200 MHz

Capacitancia de salida (Cc): 30 pF

Ganancia de corriente contínua (hFE): 120

Encapsulados: TO-92

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CSB621R datasheet

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CSB621R

Continental Device India Limited An ISO/TS 16949, ISO 9001 and ISO 14001 Certified Company PNP SILICON PLANAR EPITAXIAL TRANSISTORS CSB621, CSB621A TO-92 Plastic Package B C E AF Output Amplifier ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS (Ta=25 C) DESCRIPTION SYMBOL CSB621 CSB621A UNITS VCEO Collector Emitter Voltage 25 50 V VCBO Collector Base Voltage 30 60 V VEBO Emitter Base Voltage 5.0 V I

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