CSB621R Todos los transistores

 

CSB621R . Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características


   Número de Parte: CSB621R
   Material: Si
   Polaridad de transistor: PNP

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS


   Disipación total del dispositivo (Pc): 0.75 W
   Tensión colector-base (Vcb): 30 V
   Tensión colector-emisor (Vce): 25 V
   Tensión emisor-base (Veb): 5 V
   Corriente del colector DC máxima (Ic): 1 A
   Temperatura operativa máxima (Tj): 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS


   Transición de frecuencia (ft): 200 MHz
   Capacitancia de salida (Cc): 30 pF
   Ganancia de corriente contínua (hfe): 120
   Paquete / Cubierta: TO-92
 

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CSB621R Datasheet (PDF)

 8.1. Size:238K  cdil
 csb621 621a q r s.pdf pdf_icon

CSB621R

Continental Device India LimitedAn ISO/TS 16949, ISO 9001 and ISO 14001 Certified CompanyPNP SILICON PLANAR EPITAXIAL TRANSISTORS CSB621, CSB621ATO-92Plastic PackageBCEAF Output AmplifierABSOLUTE MAXIMUM RATINGS (Ta=25C)DESCRIPTION SYMBOL CSB621 CSB621A UNITSVCEOCollector Emitter Voltage 25 50 VVCBOCollector Base Voltage 30 60 VVEBOEmitter Base Voltage 5.0 VI

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History: BC807S | KT8150A-1

 

 
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