CSB649B . Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características
Número de Parte: CSB649B
Material: Si
Polaridad de transistor: PNP
ESPECIFICACIONES MÁXIMAS
Disipación total del dispositivo (Pc): 20 W
Tensión colector-base (Vcb): 180 V
Tensión colector-emisor (Vce): 120 V
Tensión emisor-base (Veb): 5 V
Corriente del colector DC máxima (Ic): 1.5 A
Temperatura operativa máxima (Tj): 150 °C
CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS
Transición de frecuencia (ft): 140 MHz
Capacitancia de salida (Cc): 27 pF
Ganancia de corriente contínua (hfe): 60
Paquete / Cubierta: TO-126
Búsqueda de reemplazo de CSB649B
CSB649B Datasheet (PDF)
csb649 a csd669-a.pdf

Continental Device India LimitedAn ISO/TS 16949, ISO 9001 and ISO 14001 Certified CompanyTO-126 (SOT-32) Plastic Package CSB649, CSB649ACSD669, CSD669ACSB649, 649A PNP PLASTIC POWER TRANSISTORSCSD669, 669A NPN PLASTIC POWER TRANSISTORSLow frequency Power AmplifierPIN CONFIGURATION1. EMITTER2. COLLECTOR3. BASE123ALL DIMENSIONS IN MMABSOLUTE MAXIMUM RATINGSABSOLUTE
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History: CSB1626 | KTH2369A | MA4102 | BUY70A | MDS21 | CSC2690AR
History: CSB1626 | KTH2369A | MA4102 | BUY70A | MDS21 | CSC2690AR



Liste
Recientemente añadidas las descripciónes de los transistores:
BJT: GA1A4M | SBT42 | 2SA200-Y | 2SA200-O | 2SD882-Q | 2SD882-P | 2SD882-E | 2SC945-L | 2SC945-H | 2SC4226-R23 | 2SC3357-F | 2SC3357-E | 2SC3356-R26 | 2SC3356-R24 | 2SC3356-R23 | 2SB772-Q | 2SB772-P | 2SB772-E | 2SA1015-L | 2SA1015-H | HSS8550
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