CSC1213B Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

Número de Parte: CSC1213B

Material: Si

Polaridad de transistor: NPN

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

Disipación total del dispositivo (Pc): 0.4 W

Tensión colector-base (Vcb): 35 V

Tensión colector-emisor (Vce): 35 V

Tensión emisor-base (Veb): 4 V

Corriente del colector DC máxima (Ic): 0.5 A

Temperatura operativa máxima (Tj): 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

Ganancia de corriente contínua (hFE): 60

Encapsulados: TO-92

 Búsqueda de reemplazo de CSC1213B

- Selecciónⓘ de transistores por parámetros

 

CSC1213B datasheet

 7.1. Size:276K  cdil
 csc1213 a.pdf pdf_icon

CSC1213B

Continental Device India Limited An ISO/TS 16949, ISO 9001 and ISO 14001 Certified Company NPN SILICON EPITAXIAL TRANSISTORS CSC1213 CSC1213A TO-92 Plastic Package Low Frequency Amplifier. ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS (Ta=25 C unless specified otherwise) DESCRIPTION SYMBOL CSC1213 CSC1213A UNIT VCEO Collector Emitter Voltage 35 50 V VCBO Collector Base Voltage 35 50 V VEBO Emitter

Otros transistores... CSC1187O, CSC1187R, CSC1187Y, CSC1213, CSC1213A, CSC1213AB, CSC1213AC, CSC1213AD, TIP120, CSC1213C, CSC1213D, CSC1393, CSC1393O, CSC1393R, CSC1393Y, CSC1394, CSC1394O