CSC1213B. Аналоги и основные параметры

Наименование производителя: CSC1213B

Тип материала: Si

Полярность: NPN

Предельные значения

Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 0.4 W

Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 35 V

Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 35 V

Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 4 V

Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 0.5 A

Предельная температура PN-перехода (Tj): 150 °C

Электрические характеристики

Статический коэффициент передачи тока (hFE): 60

Корпус транзистора: TO-92

 Аналоги (замена) для CSC1213B

- подборⓘ биполярного транзистора по параметрам

 

CSC1213B даташит

 7.1. Size:276K  cdil
 csc1213 a.pdf pdf_icon

CSC1213B

Continental Device India Limited An ISO/TS 16949, ISO 9001 and ISO 14001 Certified Company NPN SILICON EPITAXIAL TRANSISTORS CSC1213 CSC1213A TO-92 Plastic Package Low Frequency Amplifier. ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS (Ta=25 C unless specified otherwise) DESCRIPTION SYMBOL CSC1213 CSC1213A UNIT VCEO Collector Emitter Voltage 35 50 V VCBO Collector Base Voltage 35 50 V VEBO Emitter

Другие транзисторы: CSC1187O, CSC1187R, CSC1187Y, CSC1213, CSC1213A, CSC1213AB, CSC1213AC, CSC1213AD, TIP120, CSC1213C, CSC1213D, CSC1393, CSC1393O, CSC1393R, CSC1393Y, CSC1394, CSC1394O