CSC815R Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

Número de Parte: CSC815R

Material: Si

Polaridad de transistor: NPN

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

Disipación total del dispositivo (Pc): 0.4 W

Tensión colector-base (Vcb): 60 V

Tensión colector-emisor (Vce): 45 V

Tensión emisor-base (Veb): 5 V

Corriente del colector DC máxima (Ic): 0.2 A

Temperatura operativa máxima (Tj): 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

Transición de frecuencia (fT): 100 MHz

Capacitancia de salida (Cc): 4 pF

Ganancia de corriente contínua (hFE): 40

Encapsulados: TO-92

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CSC815R datasheet

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CSC815R

Continental Device India Limited An ISO/TS 16949, ISO 9001 and ISO 14001 Certified Company NPN SILICON EPITAXIAL TRANSISTOR CSC815 TO-92 CBE Low Frequency Amplifier And High Frequency Oscillator. Complementary CSA539 ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS(Ta=25deg C) DESCRIPTION SYMBOL VALUE UNIT Collector -Base Voltage VCBO 60 V Collector -Emitter Voltage VCEO 45 V Emitter Base Voltage VEBO 5 V

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