CSC815R . Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características
Número de Parte: CSC815R
Material: Si
Polaridad de transistor: NPN
ESPECIFICACIONES MÁXIMAS
Disipación total del dispositivo (Pc): 0.4 W
Tensión colector-base (Vcb): 60 V
Tensión colector-emisor (Vce): 45 V
Tensión emisor-base (Veb): 5 V
Corriente del colector DC máxima (Ic): 0.2 A
Temperatura operativa máxima (Tj): 150 °C
CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS
Transición de frecuencia (ft): 100 MHz
Capacitancia de salida (Cc): 4 pF
Ganancia de corriente contínua (hfe): 40
Paquete / Cubierta: TO-92
Búsqueda de reemplazo de CSC815R
CSC815R Datasheet (PDF)
csc815.pdf

Continental Device India LimitedAn ISO/TS 16949, ISO 9001 and ISO 14001 Certified CompanyNPN SILICON EPITAXIAL TRANSISTOR CSC815TO-92CBELow Frequency Amplifier And High Frequency Oscillator.Complementary CSA539ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS(Ta=25deg C)DESCRIPTION SYMBOL VALUE UNITCollector -Base Voltage VCBO 60 VCollector -Emitter Voltage VCEO 45 VEmitter Base Voltage VEBO 5 V
Otros transistores... CSC536KD , CSC536KE , CSC536KF , CSC536KG , CSC536KH , CSC815 , CSC815G , CSC815Q , 2SA1015 , CSC815Y , CSC945 , CSC945K , CSC945P , CSC945Q , CSC945R , CSCL2328A , CSCL2383 .
History: FMB200 | KT501B | 2N6559 | 2SC1106
History: FMB200 | KT501B | 2N6559 | 2SC1106



Liste
Recientemente añadidas las descripciónes de los transistores:
BJT: GA1A4M | SBT42 | 2SA200-Y | 2SA200-O | 2SD882-Q | 2SD882-P | 2SD882-E | 2SC945-L | 2SC945-H | 2SC4226-R23 | 2SC3357-F | 2SC3357-E | 2SC3356-R26 | 2SC3356-R24 | 2SC3356-R23 | 2SB772-Q | 2SB772-P | 2SB772-E | 2SA1015-L | 2SA1015-H | HSS8550
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