CSC815R. Аналоги и основные параметры

Наименование производителя: CSC815R

Тип материала: Si

Полярность: NPN

Предельные значения

Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 0.4 W

Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 60 V

Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 45 V

Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 5 V

Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 0.2 A

Предельная температура PN-перехода (Tj): 150 °C

Электрические характеристики

Граничная частота коэффициента передачи тока (ft): 100 MHz

Ёмкость коллекторного перехода (Cc): 4 pf

Статический коэффициент передачи тока (hFE): 40

Корпус транзистора: TO-92

 Аналоги (замена) для CSC815R

- подборⓘ биполярного транзистора по параметрам

 

CSC815R даташит

 8.1. Size:179K  cdil
 csc815.pdf pdf_icon

CSC815R

Continental Device India Limited An ISO/TS 16949, ISO 9001 and ISO 14001 Certified Company NPN SILICON EPITAXIAL TRANSISTOR CSC815 TO-92 CBE Low Frequency Amplifier And High Frequency Oscillator. Complementary CSA539 ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS(Ta=25deg C) DESCRIPTION SYMBOL VALUE UNIT Collector -Base Voltage VCBO 60 V Collector -Emitter Voltage VCEO 45 V Emitter Base Voltage VEBO 5 V

Другие транзисторы: CSC536KD, CSC536KE, CSC536KF, CSC536KG, CSC536KH, CSC815, CSC815G, CSC815Q, BC639, CSC815Y, CSC945, CSC945K, CSC945P, CSC945Q, CSC945R, CSCL2328A, CSCL2383