CSD401G Todos los transistores

 

CSD401G Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características


   Número de Parte: CSD401G
   Material: Si
   Polaridad de transistor: NPN

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS


   Disipación total del dispositivo (Pc): 25 W
   Tensión colector-base (Vcb): 200 V
   Tensión colector-emisor (Vce): 150 V
   Tensión emisor-base (Veb): 5 V
   Corriente del colector DC máxima (Ic): 2 A
   Temperatura operativa máxima (Tj): 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS


   Transición de frecuencia (ft): 5 MHz
   Ganancia de corriente contínua (hfe): 200
   Paquete / Cubierta: TO-220
 

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CSD401G datasheet

 8.1. Size:376K  cdil
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CSD401G

Continental Device India Limited An ISO/TS 16949, ISO 9001 and ISO 14001 Certified Company TO-220 Plastic Package CSD401 CSD401 NPN PLASTIC POWER TRANSISTOR Complementary CSB546 TV Vertical Deflection Output Applications PIN CONFIGURATION 4 1. BASE 2. COLLECTOR 3. EMITTER 4. COLLECTOR 1 2 3 C DIM MIN. MAX. B E F A 14.42 16.51 B 9.63 10.67 C 3.56 4.83 D0.90 E 1.15 1.40 1

 9.1. Size:825K  1
 csd40n70.pdf pdf_icon

CSD401G

CSD40N70 N-Channel Trench Power MOSFET General Description The CSD40N70 uses advanced trench technology to provide excellent RDS(ON), low gate charge and operation with gate voltages as low as 4.5V. This device is suitable for use as a wide variety of applications. Schematic Diagram Features VDS = 40V,ID =60A R

Otros transistores... CSD362N , CSD362O , CSD362R , CSD363 , CSD363O , CSD363R , CSD363Y , CSD401 , 2N2222 , CSD401O , CSD401R , CSD401Y , CSD471A , CSD471AG , CSD471AO , CSD471AY , CSD471G .

History: CSB1116 | 2SB608

 

 

 


 
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