CSD655D Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

Número de Parte: CSD655D  📄📄 

Material: Si

Polaridad de transistor: NPN

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

Disipación total del dispositivo (Pc): 0.5 W

Tensión colector-base (Vcb): 30 V

Tensión colector-emisor (Vce): 15 V

Tensión emisor-base (Veb): 5 V

Corriente del colector DC máxima (Ic): 0.7 A

Temperatura operativa máxima (Tj): 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

Transición de frecuencia (fT): 250 MHz

Capacitancia de salida (Cc): 30 pF

Ganancia de corriente contínua (hFE): 250

Encapsulados: TO-92

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CSD655D datasheet

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CSD655D

Continental Device India Limited An ISO/TS 16949, ISO 9001 and ISO 14001 Certified Company NPN EPITAXIAL PLANAR SILICON TRANSISTOR CSD655 (9AW) TO-92 BCE Marking As Below ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS(Ta=25deg C unless otherwise specified) DESCRIPTION SYMBOL VALUE UNIT Collector -Base Voltage VCBO 30 V Collector -Emitter Voltage VCEO 15 V Emitter Base Voltage VEBO 5.0 V Collector Curre

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