P2N2369 Todos los transistores

 

P2N2369 . Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características


   Número de Parte: P2N2369
   Material: Si
   Polaridad de transistor: NPN

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS


   Disipación total del dispositivo (Pc): 0.625 W
   Tensión colector-base (Vcb): 40 V
   Tensión colector-emisor (Vce): 15 V
   Tensión emisor-base (Veb): 4.5 V
   Corriente del colector DC máxima (Ic): 0.2 A
   Temperatura operativa máxima (Tj): 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS


   Transición de frecuencia (ft): 500 MHz
   Capacitancia de salida (Cc): 4 pF
   Ganancia de corriente contínua (hfe): 40
   Paquete / Cubierta: TO-92
 

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P2N2369 Datasheet (PDF)

 ..1. Size:248K  cdil
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P2N2369

Continental Device India LimitedAn ISO/TS 16949, ISO 9001 and ISO 14001 Certified CompanyNPN SILICON HIGH SPEED SWITHCHING TRANSISTORS P2N2369TO-92Plastic PackageECBLOW POWER FOR HIGH SPEED SWITCHING APPLICATIONSABSOLUTE MAXIMUM RATINGS (Ta=25C unless specified otherwise)DESCRIPTION SYMBOL VALUE UNITVCEOCollector Emitter Voltage 15 VVCBOCollector Base Voltage 40 VC

 0.1. Size:250K  cdil
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P2N2369

Continental Device India LimitedAn ISO/TS 16949, ISO 9001 and ISO 14001 Certified Company P2N2369ANPN SILICON HIGH SPEED SWITHCHING TRANSISTOR TO - 92 Plastic PackageECBLOW POWER AND HIGH SPEED SWITCHING APPLICATIONSABSOLUTE MAXIMUM RATINGS (Ta=25C unless specified otherwise)DESCRIPTION SYMBOL VALUE UNITVCEOCollector Emitter Voltage 15 VVCBOCollector Base Voltage 4

Otros transistores... HA9079 , HA9500 , HA9501 , HA9502 , HA9531 , HA9531A , HA9532 , HA9532A , D667 , HCT2907A , HCT2907M , HDA412 , HDA420 , HDA496 , HEP637 , HEPG0001 , HEPG0002 .

History: 9014B

 

 
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