CD83 Todos los transistores

 

CD83 . Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características


   Número de Parte: CD83
   Material: Si
   Polaridad de transistor: NPN

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS


   Disipación total del dispositivo (Pc): 0.9 W
   Tensión colector-base (Vcb): 60 V
   Tensión colector-emisor (Vce): 20 V
   Tensión emisor-base (Veb): 6 V
   Corriente del colector DC máxima (Ic): 5 A
   Temperatura operativa máxima (Tj): 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS


   Transición de frecuencia (ft): 120 MHz
   Capacitancia de salida (Cc): 45 pF
   Ganancia de corriente contínua (hfe): 100
   Paquete / Cubierta: TO-126
 

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CD83 Datasheet (PDF)

 ..1. Size:77K  cdil
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CD83

Continental Device India LimitedAn ISO/TS 16949, ISO 9001 and ISO 14001 Certified CompanyNPN SILICON POWER TRANSISTOR CD83TO126 Plastic PackageEECCBBABSOLUTE MAXIMUM RATINGS (Ta=25C )DESCRIPTION SYMBOL UNITSVALUECollector Base Voltage VCBO V60Collector Emitter Voltage VCEO20 VEmitter Base Voltage VEBO 6.0 VICCollector Current 5.0 APeak Collector Curre

 0.1. Size:135K  china
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CD83

3CD837 PNP PCM TC=25 30 W ICM 8.0 A Tjm 125 Tstg -55~150 VCE=10V Rth 5.0 /W IC=1A V(BR)CBO ICB=1mA 40 V V(BR)CEO ICE=1mA 35 V V(BR)EBO IEB=1mA 5.0 V ICBO VCB=40V 0.5 mA ICEO VCE=18V 1.0 mA VBEsat 1.5 IC=2A V VCEsat IB=0

 0.2. Size:151K  china
 3cd834.pdf pdf_icon

CD83

3CD834 PNP PCM TC=25 30 W ICM 3 A Tjm 175 Tstg -55~150 VCE=10V Rth 5 /W IC=1A V(BR)CBO ICB=1mA 60 V V(BR)CEO ICE=1mA 60 V V(BR)EBO IEB=1mA 5.0 V ICBO VCB=20V 0.5 mA ICEO VCE=20V 1.0 mA IEBO VEB=5V 0.5 mA VBEsat 1.2 IC=

 0.3. Size:220K  inchange semiconductor
 3cd834.pdf pdf_icon

CD83

isc Silicon PNP Power Transistor 3CD834DESCRIPTIONCollector-Emitter Breakdown Voltage-: V = -60V(Min)(BR)CEOLow Collector-Emitter Saturation Voltage-: V = -1.0V(Max) @I = -3.0ACE(sat) CMinimum Lot-to-Lot variations for robust deviceperformance and reliable operationAPPLICATIONSDesigned for use in audio frequency power amplifierapplicationsABSOLUTE MAXIMUM RATIN

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