CD83 Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

Número de Parte: CD83

Material: Si

Polaridad de transistor: NPN

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

Disipación total del dispositivo (Pc): 0.9 W

Tensión colector-base (Vcb): 60 V

Tensión colector-emisor (Vce): 20 V

Tensión emisor-base (Veb): 6 V

Corriente del colector DC máxima (Ic): 5 A

Temperatura operativa máxima (Tj): 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

Transición de frecuencia (fT): 120 MHz

Capacitancia de salida (Cc): 45 pF

Ganancia de corriente contínua (hFE): 100

Encapsulados: TO-126

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CD83 datasheet

 ..1. Size:77K  cdil
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CD83

Continental Device India Limited An ISO/TS 16949, ISO 9001 and ISO 14001 Certified Company NPN SILICON POWER TRANSISTOR CD83 TO126 Plastic Package E E C C B B ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS (Ta=25 C ) DESCRIPTION SYMBOL UNITS VALUE Collector Base Voltage VCBO V 60 Collector Emitter Voltage VCEO 20 V Emitter Base Voltage VEBO 6.0 V IC Collector Current 5.0 A Peak Collector Curre

 0.1. Size:135K  china
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CD83

3CD837 PNP PCM TC=25 30 W ICM 8.0 A Tjm 125 Tstg -55 150 VCE=10V Rth 5.0 /W IC=1A V(BR)CBO ICB=1mA 40 V V(BR)CEO ICE=1mA 35 V V(BR)EBO IEB=1mA 5.0 V ICBO VCB=40V 0.5 mA ICEO VCE=18V 1.0 mA VBEsat 1.5 IC=2A V VCEsat IB=0

 0.2. Size:151K  china
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CD83

3CD834 PNP PCM TC=25 30 W ICM 3 A Tjm 175 Tstg -55 150 VCE=10V Rth 5 /W IC=1A V(BR)CBO ICB=1mA 60 V V(BR)CEO ICE=1mA 60 V V(BR)EBO IEB=1mA 5.0 V ICBO VCB=20V 0.5 mA ICEO VCE=20V 1.0 mA IEBO VEB=5V 0.5 mA VBEsat 1.2 IC=

 0.3. Size:220K  inchange semiconductor
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CD83

isc Silicon PNP Power Transistor 3CD834 DESCRIPTION Collector-Emitter Breakdown Voltage- V = -60V(Min) (BR)CEO Low Collector-Emitter Saturation Voltage- V = -1.0V(Max) @I = -3.0A CE(sat) C Minimum Lot-to-Lot variations for robust device performance and reliable operation APPLICATIONS Designed for use in audio frequency power amplifier applications ABSOLUTE MAXIMUM RATIN

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