Биполярный транзистор CD83 - описание производителя. Основные параметры. Даташиты.
Наименование производителя: CD83
Тип материала: Si
Полярность: NPN
Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 0.9 W
Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 60 V
Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 20 V
Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 6 V
Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 5 A
Предельная температура PN-перехода (Tj): 150 °C
Граничная частота коэффициента передачи тока (ft): 120 MHz
Ёмкость коллекторного перехода (Cc): 45 pf
Статический коэффициент передачи тока (hfe): 100
Корпус транзистора: TO-126
CD83 Datasheet (PDF)
cd83.pdf
Continental Device India LimitedAn ISO/TS 16949, ISO 9001 and ISO 14001 Certified CompanyNPN SILICON POWER TRANSISTOR CD83TO126 Plastic PackageEECCBBABSOLUTE MAXIMUM RATINGS (Ta=25C )DESCRIPTION SYMBOL UNITSVALUECollector Base Voltage VCBO V60Collector Emitter Voltage VCEO20 VEmitter Base Voltage VEBO 6.0 VICCollector Current 5.0 APeak Collector Curre
3cd837.pdf
3CD837 PNP PCM TC=25 30 W ICM 8.0 A Tjm 125 Tstg -55~150 VCE=10V Rth 5.0 /W IC=1A V(BR)CBO ICB=1mA 40 V V(BR)CEO ICE=1mA 35 V V(BR)EBO IEB=1mA 5.0 V ICBO VCB=40V 0.5 mA ICEO VCE=18V 1.0 mA VBEsat 1.5 IC=2A V VCEsat IB=0
3cd834.pdf
3CD834 PNP PCM TC=25 30 W ICM 3 A Tjm 175 Tstg -55~150 VCE=10V Rth 5 /W IC=1A V(BR)CBO ICB=1mA 60 V V(BR)CEO ICE=1mA 60 V V(BR)EBO IEB=1mA 5.0 V ICBO VCB=20V 0.5 mA ICEO VCE=20V 1.0 mA IEBO VEB=5V 0.5 mA VBEsat 1.2 IC=
3cd834.pdf
isc Silicon PNP Power Transistor 3CD834DESCRIPTIONCollector-Emitter Breakdown Voltage-: V = -60V(Min)(BR)CEOLow Collector-Emitter Saturation Voltage-: V = -1.0V(Max) @I = -3.0ACE(sat) CMinimum Lot-to-Lot variations for robust deviceperformance and reliable operationAPPLICATIONSDesigned for use in audio frequency power amplifierapplicationsABSOLUTE MAXIMUM RATIN
Другие транзисторы... 2N3192 , 2N3193 , 2N3194 , 2N3195 , 2N3196 , 2N3197 , 2N3198 , 2N3199 , 2SA1837 , 2N320 , 2N3200 , 2N3201 , 2N3202 , 2N3203 , 2N3204 , 2N3205 , 2N3206 .
Список транзисторов
Обновления
BJT: SBT42 | 2SA200-Y | 2SA200-O | 2SD882-Q | 2SD882-P | 2SD882-E | 2SC945-L | 2SC945-H | 2SC4226-R23 | 2SC3357-F | 2SC3357-E | 2SC3356-R26 | 2SC3356-R24 | 2SC3356-R23 | 2SB772-Q | 2SB772-P | 2SB772-E | 2SA1015-L | 2SA1015-H | HSS8550 | HSS8050