CJD175 Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

Número de Parte: CJD175

Material: Si

Polaridad de transistor: NPN

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

Disipación total del dispositivo (Pc): 30 W

Tensión colector-base (Vcb): 45 V

Tensión colector-emisor (Vce): 45 V

Tensión emisor-base (Veb): 5 V

Corriente del colector DC máxima (Ic): 3 A

Temperatura operativa máxima (Tj): 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

Transición de frecuencia (fT): 3 MHz

Ganancia de corriente contínua (hFE): 40

Encapsulados: TO-252 DPAK

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CJD175 datasheet

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CJD175

Continental Device India Limited An ISO/TS 16949, ISO 9001 and ISO 14001 Certified Company CJD176 EPITAXIAL SILICON POWER TRANSISTORS CJD175 CJD178 CJD177 CJD180 CJD179 NPN PNP DPAK (TO-252) Plastic Package Intended for use in Medium Power Linear Switching Applications ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS DESCRIPTION SYMBOL CJD175 CJD177 CJD179 UNIT CJD176 CJD178 CJD180 Collector -Emitter V

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