CJD204R . Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características
Número de Parte: CJD204R
Material: Si
Polaridad de transistor: PNP
ESPECIFICACIONES MÁXIMAS
Disipación total del dispositivo (Pc): 60 W
Tensión colector-base (Vcb): 60 V
Tensión colector-emisor (Vce): 60 V
Tensión emisor-base (Veb): 5 V
Corriente del colector DC máxima (Ic): 8 A
Temperatura operativa máxima (Tj): 150 °C
CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS
Transición de frecuencia (ft): 7 MHz
Ganancia de corriente contínua (hfe): 30
Paquete / Cubierta: TO-251(IPAK)
Búsqueda de reemplazo de transistor bipolar CJD204R
CJD204R Datasheet (PDF)
cjd204r.pdf
Continental Device India LimitedAn ISO/TS 16949, ISO 9001 and ISO 14001 Certified CompanyPNP SILICON POWER TRANSISTOR CJD204RPin Configurations:-TO-251Pin 1 :- EmitterI PAK Plastic PackagePin 2 :- Collector Pin 3 :- BaseABSOLUTE MAXIMUM RATINGSDESCRIPTION SYMBOL VALUE UNITSVCBOCollector Base Voltage 60 VVCEOCollector Emitter Voltage 60 VVEBOEmitter Base Voltage 5
cjd200-cjd210.pdf
CJD200 NPNCJD210 PNPwww.centralsemi.comSURFACE MOUNTDESCRIPTION:COMPLEMENTARY SILICONThe CENTRAL SEMICONDUCTOR CJD200, CJD210 POWER TRANSISTORStypes are Complementary Silicon Power Transistors manufactured in a surface mount package designed for high current amplifier applications.MARKING: FULL PART NUMBERDPAK TRANSISTOR CASEMAXIMUM RATINGS: (TC=25C unless otherwise
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