CJD204R Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

Número de Parte: CJD204R

Material: Si

Polaridad de transistor: PNP

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

Disipación total del dispositivo (Pc): 60 W

Tensión colector-base (Vcb): 60 V

Tensión colector-emisor (Vce): 60 V

Tensión emisor-base (Veb): 5 V

Corriente del colector DC máxima (Ic): 8 A

Temperatura operativa máxima (Tj): 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

Transición de frecuencia (fT): 7 MHz

Ganancia de corriente contínua (hFE): 30

Encapsulados: TO-251(IPAK)

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CJD204R datasheet

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CJD204R

Continental Device India Limited An ISO/TS 16949, ISO 9001 and ISO 14001 Certified Company PNP SILICON POWER TRANSISTOR CJD204R Pin Configurations - TO-251 Pin 1 - Emitter I PAK Plastic Package Pin 2 - Collector Pin 3 - Base ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS DESCRIPTION SYMBOL VALUE UNITS VCBO Collector Base Voltage 60 V VCEO Collector Emitter Voltage 60 V VEBO Emitter Base Voltage 5

 9.1. Size:419K  central
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CJD204R

CJD200 NPN CJD210 PNP www.centralsemi.com SURFACE MOUNT DESCRIPTION COMPLEMENTARY SILICON The CENTRAL SEMICONDUCTOR CJD200, CJD210 POWER TRANSISTORS types are Complementary Silicon Power Transistors manufactured in a surface mount package designed for high current amplifier applications. MARKING FULL PART NUMBER DPAK TRANSISTOR CASE MAXIMUM RATINGS (TC=25 C unless otherwise

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