CJD204R datasheet, аналоги, основные параметры

Наименование производителя: CJD204R

Тип материала: Si

Полярность: PNP

Предельные значения

Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 60 W

Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 60 V

Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 60 V

Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 5 V

Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 8 A

Предельная температура PN-перехода (Tj): 150 °C

Электрические характеристики

Граничная частота коэффициента передачи тока (ft): 7 MHz

Статический коэффициент передачи тока (hFE): 30

Корпус транзистора: TO-251(IPAK)

 Аналоги (замена) для CJD204R

- подборⓘ биполярного транзистора по параметрам

 

CJD204R даташит

 ..1. Size:193K  cdil
 cjd204r.pdf pdf_icon

CJD204R

Continental Device India Limited An ISO/TS 16949, ISO 9001 and ISO 14001 Certified Company PNP SILICON POWER TRANSISTOR CJD204R Pin Configurations - TO-251 Pin 1 - Emitter I PAK Plastic Package Pin 2 - Collector Pin 3 - Base ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS DESCRIPTION SYMBOL VALUE UNITS VCBO Collector Base Voltage 60 V VCEO Collector Emitter Voltage 60 V VEBO Emitter Base Voltage 5

 9.1. Size:419K  central
 cjd200-cjd210.pdf pdf_icon

CJD204R

CJD200 NPN CJD210 PNP www.centralsemi.com SURFACE MOUNT DESCRIPTION COMPLEMENTARY SILICON The CENTRAL SEMICONDUCTOR CJD200, CJD210 POWER TRANSISTORS types are Complementary Silicon Power Transistors manufactured in a surface mount package designed for high current amplifier applications. MARKING FULL PART NUMBER DPAK TRANSISTOR CASE MAXIMUM RATINGS (TC=25 C unless otherwise

Другие транзисторы: CJD110, CJD115, CJD175, CJD176, CJD177, CJD178, CJD179, CJD180, A940, CJD3439, CJD81, CJD86, CJE13007, CJF100, CJF101, CJF102, CJF105