CJD3439 . Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características
Número de Parte: CJD3439
Material: Si
Polaridad de transistor: NPN
ESPECIFICACIONES MÁXIMAS
Disipación total del dispositivo (Pc): 15 W
Tensión colector-base (Vcb): 450 V
Tensión colector-emisor (Vce): 350 V
Tensión emisor-base (Veb): 5 V
Corriente del colector DC máxima (Ic): 0.3 A
Temperatura operativa máxima (Tj): 150 °C
CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS
Transición de frecuencia (ft): 15 MHz
Capacitancia de salida (Cc): 10 pF
Ganancia de corriente contínua (hfe): 15
Paquete / Cubierta: TO-252 DPAK
Búsqueda de reemplazo de CJD3439
CJD3439 Datasheet (PDF)
cjd3439.pdf

Continental Device India LimitedAn ISO/TS 16949, ISO 9001 and ISO 14001 Certified CompanyNPN SILICON PLASTIC HIGH VOLTAGE POWER TRANSISTORS CJD3439 DPAK (TO-252)Plastic PackageDesigned for use in Line Operated Equipment Requiring High fTABSOLUTE MAXIMUM RATINGS DESCRIPTION SYMBOL VALUE UNITCollector Emitter Voltage VCEO 350 VVCBOCollector Base Voltage 450 VEmitter Base Vol
Otros transistores... CJD115 , CJD175 , CJD176 , CJD177 , CJD178 , CJD179 , CJD180 , CJD204R , S8550 , CJD81 , CJD86 , CJE13007 , CJF100 , CJF101 , CJF102 , CJF105 , CJF106 .
History: 2SC515 | DMBT5551 | MMUN2232L | KT218E9 | BT2951 | 40306
History: 2SC515 | DMBT5551 | MMUN2232L | KT218E9 | BT2951 | 40306



Liste
Recientemente añadidas las descripciónes de los transistores:
BJT: GA1A4M | SBT42 | 2SA200-Y | 2SA200-O | 2SD882-Q | 2SD882-P | 2SD882-E | 2SC945-L | 2SC945-H | 2SC4226-R23 | 2SC3357-F | 2SC3357-E | 2SC3356-R26 | 2SC3356-R24 | 2SC3356-R23 | 2SB772-Q | 2SB772-P | 2SB772-E | 2SA1015-L | 2SA1015-H | HSS8550
Popular searches
irf9530 | 2n2222a transistor | irfp250 | irf640n datasheet | irf540 datasheet | irf530 | 2n3565 | irf530n