CJD3439 datasheet, аналоги, основные параметры
Наименование производителя: CJD3439
Тип материала: Si
Полярность: NPN
Предельные значения
Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 15 W
Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 450 V
Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 350 V
Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 5 V
Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 0.3 A
Предельная температура PN-перехода (Tj): 150 °C
Электрические характеристики
Граничная частота коэффициента передачи тока (ft): 15 MHz
Ёмкость коллекторного перехода (Cc): 10 pf
Статический коэффициент передачи тока (hFE): 15
Корпус транзистора: TO-252 DPAK
Аналоги (замена) для CJD3439
- подборⓘ биполярного транзистора по параметрам
CJD3439 даташит
cjd3439.pdf
Continental Device India Limited An ISO/TS 16949, ISO 9001 and ISO 14001 Certified Company NPN SILICON PLASTIC HIGH VOLTAGE POWER TRANSISTORS CJD3439 DPAK (TO-252) Plastic Package Designed for use in Line Operated Equipment Requiring High fT ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS DESCRIPTION SYMBOL VALUE UNIT Collector Emitter Voltage VCEO 350 V VCBO Collector Base Voltage 450 V Emitter Base Vol
Другие транзисторы: CJD115, CJD175, CJD176, CJD177, CJD178, CJD179, CJD180, CJD204R, B772, CJD81, CJD86, CJE13007, CJF100, CJF101, CJF102, CJF105, CJF106
History: DTC614TK | NB213ZI
🌐 : EN ES РУ
Список транзисторов
Обновления
BJT: GA1A4M | SBT42 | 2SA200-Y | 2SA200-O | 2SD882-Q | 2SD882-P | 2SD882-E | 2SC945-L | 2SC945-H | 2SC4226-R23 | 2SC3357-F | 2SC3357-E | 2SC3356-R26 | 2SC3356-R24 | 2SC3356-R23 | 2SB772-Q | 2SB772-P | 2SB772-E | 2SA1015-L | 2SA1015-H | HSS8550
Popular searches
irf9530 | 2n2222a transistor | irfp250 | irf640n datasheet | irf540 datasheet | irf530 | 2n3565 | irf530n

