CP756 . Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características
Número de Parte: CP756
Material: Si
Polaridad de transistor: PNP
ESPECIFICACIONES MÁXIMAS
Disipación total del dispositivo (Pc): 0.9 W
Tensión colector-base (Vcb): 200 V
Tensión colector-emisor (Vce): 200 V
Tensión emisor-base (Veb): 5 V
Corriente del colector DC máxima (Ic): 0.5 A
Temperatura operativa máxima (Tj): 150 °C
CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS
Transición de frecuencia (ft): 30 MHz
Capacitancia de salida (Cc): 20 pF
Ganancia de corriente contínua (hfe): 40
Paquete / Cubierta: TO-92
Búsqueda de reemplazo de CP756
CP756 Datasheet (PDF)
cp756 cp757.pdf

Continental Device India LimitedAn ISO/TS 16949, ISO 9001 and ISO 14001 Certified CompanyCP756 / CP757PNP SILICON PLANAR EPITAXIAL TRANSISTORSTO-92Plastic PackageCBEMedium Power Transistors are Designed for Applications Requiring High Breakdown Voltage and Low Saturation VoltageComplementary CN656 and CN657ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS (Ta=25C )DESCRIPTION SYMBOL CP756 CP75
Otros transistores... CJF105 , CJF106 , CJF107 , CMBTA42 , CMBTA44 , CMBTA92 , CN1016 , CP1016 , TIP127 , CP757 , CRD13003BC , CSA1156 , CSA1162GR , CSA1162Y , CSA1301F , CSA1301OF , CSA1301RF .
History: MJE13003F1 | 3DD267 | 2SD1384 | 2SC3647S
History: MJE13003F1 | 3DD267 | 2SD1384 | 2SC3647S



Liste
Recientemente añadidas las descripciónes de los transistores:
BJT: GA1A4M | SBT42 | 2SA200-Y | 2SA200-O | 2SD882-Q | 2SD882-P | 2SD882-E | 2SC945-L | 2SC945-H | 2SC4226-R23 | 2SC3357-F | 2SC3357-E | 2SC3356-R26 | 2SC3356-R24 | 2SC3356-R23 | 2SB772-Q | 2SB772-P | 2SB772-E | 2SA1015-L | 2SA1015-H | HSS8550
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