CP756 Todos los transistores

 

CP756 Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características


   Número de Parte: CP756
   Material: Si
   Polaridad de transistor: PNP

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS


   Disipación total del dispositivo (Pc): 0.9 W
   Tensión colector-base (Vcb): 200 V
   Tensión colector-emisor (Vce): 200 V
   Tensión emisor-base (Veb): 5 V
   Corriente del colector DC máxima (Ic): 0.5 A
   Temperatura operativa máxima (Tj): 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS


   Transición de frecuencia (ft): 30 MHz
   Capacitancia de salida (Cc): 20 pF
   Ganancia de corriente contínua (hfe): 40
   Paquete / Cubierta: TO-92
 

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CP756 PDF detailed specifications

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CP756

Continental Device India Limited An ISO/TS 16949, ISO 9001 and ISO 14001 Certified Company CP756 / CP757 PNP SILICON PLANAR EPITAXIAL TRANSISTORS TO-92 Plastic Package C B E Medium Power Transistors are Designed for Applications Requiring High Breakdown Voltage and Low Saturation Voltage Complementary CN656 and CN657 ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS (Ta=25 C ) DESCRIPTION SYMBOL CP756 CP75... See More ⇒

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