CP756 Todos los transistores

 

CP756 . Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características


   Número de Parte: CP756
   Material: Si
   Polaridad de transistor: PNP

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS


   Disipación total del dispositivo (Pc): 0.9 W
   Tensión colector-base (Vcb): 200 V
   Tensión colector-emisor (Vce): 200 V
   Tensión emisor-base (Veb): 5 V
   Corriente del colector DC máxima (Ic): 0.5 A
   Temperatura operativa máxima (Tj): 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS


   Transición de frecuencia (ft): 30 MHz
   Capacitancia de salida (Cc): 20 pF
   Ganancia de corriente contínua (hfe): 40
   Paquete / Cubierta: TO-92
 

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CP756 Datasheet (PDF)

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CP756

Continental Device India LimitedAn ISO/TS 16949, ISO 9001 and ISO 14001 Certified CompanyCP756 / CP757PNP SILICON PLANAR EPITAXIAL TRANSISTORSTO-92Plastic PackageCBEMedium Power Transistors are Designed for Applications Requiring High Breakdown Voltage and Low Saturation VoltageComplementary CN656 and CN657ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS (Ta=25C )DESCRIPTION SYMBOL CP756 CP75

Otros transistores... CJF105 , CJF106 , CJF107 , CMBTA42 , CMBTA44 , CMBTA92 , CN1016 , CP1016 , TIP127 , CP757 , CRD13003BC , CSA1156 , CSA1162GR , CSA1162Y , CSA1301F , CSA1301OF , CSA1301RF .

History: MJE13003F1 | 3DD267 | 2SD1384 | 2SC3647S

 

 
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