Биполярный транзистор CP756 - описание производителя. Основные параметры. Даташиты.
Наименование производителя: CP756
Тип материала: Si
Полярность: PNP
Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 0.9 W
Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 200 V
Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 200 V
Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 5 V
Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 0.5 A
Предельная температура PN-перехода (Tj): 150 °C
Граничная частота коэффициента передачи тока (ft): 30 MHz
Ёмкость коллекторного перехода (Cc): 20 pf
Статический коэффициент передачи тока (hfe): 40
Корпус транзистора: TO-92
CP756 Datasheet (PDF)
..1. Size:348K cdil
cp756 cp757.pdf
cp756 cp757.pdf
Continental Device India LimitedAn ISO/TS 16949, ISO 9001 and ISO 14001 Certified CompanyCP756 / CP757PNP SILICON PLANAR EPITAXIAL TRANSISTORSTO-92Plastic PackageCBEMedium Power Transistors are Designed for Applications Requiring High Breakdown Voltage and Low Saturation VoltageComplementary CN656 and CN657ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS (Ta=25C )DESCRIPTION SYMBOL CP756 CP75
Другие транзисторы... 2SA1803O , 2SA1803R , 2SA1804 , 2SA1804O , 2SA1804R , 2SA1805 , 2SA1805O , 2SA1805R , TIP42 , 2SA181 , 2SA1810 , 2SA1810B , 2SA1810C , 2SA1811 , 2SA1815 , 2SA1815-3 , 2SA1815-4 .
Список транзисторов
Обновления
BJT: SBT42 | 2SA200-Y | 2SA200-O | 2SD882-Q | 2SD882-P | 2SD882-E | 2SC945-L | 2SC945-H | 2SC4226-R23 | 2SC3357-F | 2SC3357-E | 2SC3356-R26 | 2SC3356-R24 | 2SC3356-R23 | 2SB772-Q | 2SB772-P | 2SB772-E | 2SA1015-L | 2SA1015-H | HSS8550 | HSS8050