CSB1086Q Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

Número de Parte: CSB1086Q  📄📄 

Material: Si

Polaridad de transistor: PNP

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

Disipación total del dispositivo (Pc): 10 W

Tensión colector-emisor (Vce): 120 V

Corriente del colector DC máxima (Ic): 1.5 A

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

Transición de frecuencia (fT): 30 MHz

Ganancia de corriente contínua (hFE): 120

Encapsulados: TO-126

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CSB1086Q datasheet

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CSB1086Q

Continental Device India Limited An ISO/TS 16949, ISO 9001 and ISO 14001 Certified Company PNP PLASTIC POWER TRANSISTOR CSB1065 TO126 Plastic Package E C B Complementary CSD1506 Low Frequency Power Amplifier ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS(Ta=25 C unless specified otherwise) DESCRIPTION SYMBOL VALUE UNIT VCBO Collector Base Voltage(open emitter) >60 V Collector Emitter Voltage (open b

 9.2. Size:235K  cdil
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CSB1086Q

Continental Device India Limited An ISO/TS 16949, ISO 9001 and ISO 14001 Certified Company PNP EPITAXIAL PLANAR SILICON TRANSISTOR CSB1058 TO-92 BCE B C E Low Frequency Power Amplifier. Complementary CSD1489 ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS(Ta=25deg C unless otherwise specified) DESCRIPTION SYMBOL VALUE UNIT Collector -Base Voltage BVCBO 20 V Collector Emitter Voltage BVCEO 16 V Emitter B

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