CSB856B Todos los transistores

 

CSB856B Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características


   Número de Parte: CSB856B
   Material: Si
   Polaridad de transistor: PNP

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS


   Disipación total del dispositivo (Pc): 25 W
   Tensión colector-base (Vcb): 50 V
   Tensión colector-emisor (Vce): 50 V
   Tensión emisor-base (Veb): 4 V
   Corriente del colector DC máxima (Ic): 3 A
   Temperatura operativa máxima (Tj): 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS


   Transición de frecuencia (ft): 35 MHz
   Ganancia de corriente contínua (hfe): 60
   Paquete / Cubierta: TO-220

 Búsqueda de reemplazo de transistor bipolar CSB856B

 

Principales características: CSB856B

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CSB856B

Continental Device India Limited An ISO/TS 16949, ISO 9001 and ISO 14001 Certified Company PNP PLASTIC POWER TRANSISTOR CSB856 TO-220 Plastic Package LOW FREQUENCY POWER AMPLIFIER ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS DESCRIPTION SYMBOL VALUE UNIT VCEO Collector -Emitter Voltage 50 V VCBO Collector -Base Voltage 50 V VEBO Emitter Base Voltage 4.0 V IC Collector Current Continuous 3.0 A PD P

 9.1. Size:156K  cdil
 csb857 csb858 csd1133 34.pdf pdf_icon

CSB856B

Continental Device India Limited An ISO/TS 16949, ISO 9001 and ISO 14001 Certified Company TO-220 Plastic Package CSB857, CSB858 CSD1133, CSD1134 CSB857, 858 PNP PLASTIC POWER TRANSISTORS CSD1133, 1134 NPN PLASTIC POWER TRANSISTORS Low frequency Power Amplifier PIN CONFIGURATION 4 1. BASE 2. COLLECTOR 3. EMITTER 4. COLLECTOR 1 2 3 C DIM MIN. MAX. B E F A 14.42 16.51 B 9.63

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