CSB858C . Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características
Número de Parte: CSB858C
Material: Si
Polaridad de transistor: PNP
ESPECIFICACIONES MÁXIMAS
Disipación total del dispositivo (Pc): 40 W
Tensión colector-base (Vcb): 70 V
Tensión colector-emisor (Vce): 60 V
Tensión emisor-base (Veb): 5 V
Corriente del colector DC máxima (Ic): 4 A
Temperatura operativa máxima (Tj): 150 °C
CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS
Transición de frecuencia (ft): 15 MHz
Ganancia de corriente contínua (hfe): 100
Paquete / Cubierta: TO-220
Búsqueda de reemplazo de transistor bipolar CSB858C
CSB858C Datasheet (PDF)
csb857 csb858 csd1133 34.pdf
Continental Device India LimitedAn ISO/TS 16949, ISO 9001 and ISO 14001 Certified CompanyTO-220 Plastic Package CSB857, CSB858CSD1133, CSD1134CSB857, 858 PNP PLASTIC POWER TRANSISTORSCSD1133, 1134 NPN PLASTIC POWER TRANSISTORSLow frequency Power AmplifierPIN CONFIGURATION41. BASE2. COLLECTOR3. EMITTER4. COLLECTOR123CDIM MIN. MAX.B EFA 14.42 16.51B 9.63
csb856.pdf
Continental Device India LimitedAn ISO/TS 16949, ISO 9001 and ISO 14001 Certified CompanyPNP PLASTIC POWER TRANSISTOR CSB856TO-220Plastic PackageLOW FREQUENCY POWER AMPLIFIERABSOLUTE MAXIMUM RATINGSDESCRIPTION SYMBOL VALUE UNITVCEOCollector -Emitter Voltage 50 VVCBOCollector -Base Voltage 50 VVEBOEmitter Base Voltage 4.0 VICCollector Current Continuous 3.0 APDP
Otros transistores... 2N3200 , 2N3201 , 2N3202 , 2N3203 , 2N3204 , 2N3205 , 2N3206 , 2N3207 , B772 , 2N3209 , 2N3209AQF , 2N3209CSM , 2N3209DCSM , 2N3209L , 2N321 , 2N3210 , 2N3211 .
History: 2SB562-B | HSE319
Liste
Recientemente añadidas las descripciónes de los transistores:
BJT: SBT42 | 2SA200-Y | 2SA200-O | 2SD882-Q | 2SD882-P | 2SD882-E | 2SC945-L | 2SC945-H | 2SC4226-R23 | 2SC3357-F | 2SC3357-E | 2SC3356-R26 | 2SC3356-R24 | 2SC3356-R23 | 2SB772-Q | 2SB772-P | 2SB772-E | 2SA1015-L | 2SA1015-H | HSS8550 | HSS8050