CSB858C Todos los transistores

 

CSB858C . Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características


   Número de Parte: CSB858C
   Material: Si
   Polaridad de transistor: PNP

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS


   Disipación total del dispositivo (Pc): 40 W
   Tensión colector-base (Vcb): 70 V
   Tensión colector-emisor (Vce): 60 V
   Tensión emisor-base (Veb): 5 V
   Corriente del colector DC máxima (Ic): 4 A
   Temperatura operativa máxima (Tj): 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS


   Transición de frecuencia (ft): 15 MHz
   Ganancia de corriente contínua (hfe): 100
   Paquete / Cubierta: TO-220

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CSB858C Datasheet (PDF)

 8.1. Size:156K  cdil
 csb857 csb858 csd1133 34.pdf

CSB858C CSB858C

Continental Device India LimitedAn ISO/TS 16949, ISO 9001 and ISO 14001 Certified CompanyTO-220 Plastic Package CSB857, CSB858CSD1133, CSD1134CSB857, 858 PNP PLASTIC POWER TRANSISTORSCSD1133, 1134 NPN PLASTIC POWER TRANSISTORSLow frequency Power AmplifierPIN CONFIGURATION41. BASE2. COLLECTOR3. EMITTER4. COLLECTOR123CDIM MIN. MAX.B EFA 14.42 16.51B 9.63

 9.1. Size:207K  cdil
 csb856.pdf

CSB858C CSB858C

Continental Device India LimitedAn ISO/TS 16949, ISO 9001 and ISO 14001 Certified CompanyPNP PLASTIC POWER TRANSISTOR CSB856TO-220Plastic PackageLOW FREQUENCY POWER AMPLIFIERABSOLUTE MAXIMUM RATINGSDESCRIPTION SYMBOL VALUE UNITVCEOCollector -Emitter Voltage 50 VVCBOCollector -Base Voltage 50 VVEBOEmitter Base Voltage 4.0 VICCollector Current Continuous 3.0 APDP

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