CSD1426F Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

Número de Parte: CSD1426F

Material: Si

Polaridad de transistor: NPN

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

Disipación total del dispositivo (Pc): 34 W

Tensión colector-base (Vcb): 1500 V

Tensión colector-emisor (Vce): 600 V

Tensión emisor-base (Veb): 5 V

Corriente del colector DC máxima (Ic): 3.5 A

Temperatura operativa máxima (Tj): 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

Transición de frecuencia (fT): 3 MHz

Capacitancia de salida (Cc): 95 pF

Ganancia de corriente contínua (hFE): 8

Encapsulados: TO-3P

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CSD1426F datasheet

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CSD1426F

Continental Device India Limited An ISO/TS 16949, ISO 9001 and ISO 14001 Certified Company NPN HIGH VOLTAGE SILICON POWER TRANSISTORS CSD1426F TO-3P Fully Isolated Plastic Package B C E Colour TV Horizontal Output Applications. ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS (Ta=25 C unless specified otherwise) DESCRIPTION SYMBOL VALUE UNIT Collector Base Voltage VCBO 1500 V Collector Emitter Voltage VCE

 9.1. Size:83K  cdil
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CSD1426F

IS / IECQC 700000 IS / IECQC 750100 Continental Device India Limited An ISO/TS 16949, ISO 9001 and ISO 14001 Certified Company NPN EPITAXIAL PLANAR SILICON TRANSISTOR CSD1489 TO-92 BCE Low Frequency Power Amplifier. Complementary CSB1058 ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS(Ta=25deg C unless otherwise specified) DESCRIPTION SYMBOL VALUE UNIT Collector -Base Voltage BVCBO 20 V Collector Emitter

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