CSD1426F . Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características
Número de Parte: CSD1426F
Material: Si
Polaridad de transistor: NPN
ESPECIFICACIONES MÁXIMAS
Disipación total del dispositivo (Pc): 34 W
Tensión colector-base (Vcb): 1500 V
Tensión colector-emisor (Vce): 600 V
Tensión emisor-base (Veb): 5 V
Corriente del colector DC máxima (Ic): 3.5 A
Temperatura operativa máxima (Tj): 150 °C
CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS
Transición de frecuencia (ft): 3 MHz
Capacitancia de salida (Cc): 95 pF
Ganancia de corriente contínua (hfe): 8
Paquete / Cubierta: TO-3P
Búsqueda de reemplazo de transistor bipolar CSD1426F
CSD1426F Datasheet (PDF)
csd1426f.pdf
Continental Device India LimitedAn ISO/TS 16949, ISO 9001 and ISO 14001 Certified CompanyNPN HIGH VOLTAGE SILICON POWER TRANSISTORS CSD1426FTO-3P Fully IsolatedPlastic PackageBCEColour TV Horizontal Output Applications.ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS (Ta=25C unless specified otherwise)DESCRIPTION SYMBOL VALUE UNITCollector Base Voltage VCBO 1500 VCollector Emitter Voltage VCE
csd1489.pdf
IS / IECQC 700000IS / IECQC 750100Continental Device India LimitedAn ISO/TS 16949, ISO 9001 and ISO 14001 Certified CompanyNPN EPITAXIAL PLANAR SILICON TRANSISTOR CSD1489TO-92BCELow Frequency Power Amplifier.Complementary CSB1058ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS(Ta=25deg C unless otherwise specified)DESCRIPTION SYMBOL VALUE UNITCollector -Base Voltage BVCBO 20 VCollector Emitter
Otros transistores... 2N3200 , 2N3201 , 2N3202 , 2N3203 , 2N3204 , 2N3205 , 2N3206 , 2N3207 , B772 , 2N3209 , 2N3209AQF , 2N3209CSM , 2N3209DCSM , 2N3209L , 2N321 , 2N3210 , 2N3211 .
History: 16029
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Liste
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