CSD1426F. Аналоги и основные параметры

Наименование производителя: CSD1426F

Тип материала: Si

Полярность: NPN

Предельные значения

Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 34 W

Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 1500 V

Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 600 V

Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 5 V

Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 3.5 A

Предельная температура PN-перехода (Tj): 150 °C

Электрические характеристики

Граничная частота коэффициента передачи тока (ft): 3 MHz

Ёмкость коллекторного перехода (Cc): 95 pf

Статический коэффициент передачи тока (hFE): 8

Корпус транзистора: TO-3P

 Аналоги (замена) для CSD1426F

- подборⓘ биполярного транзистора по параметрам

 

CSD1426F даташит

 ..1. Size:241K  cdil
 csd1426f.pdf pdf_icon

CSD1426F

Continental Device India Limited An ISO/TS 16949, ISO 9001 and ISO 14001 Certified Company NPN HIGH VOLTAGE SILICON POWER TRANSISTORS CSD1426F TO-3P Fully Isolated Plastic Package B C E Colour TV Horizontal Output Applications. ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS (Ta=25 C unless specified otherwise) DESCRIPTION SYMBOL VALUE UNIT Collector Base Voltage VCBO 1500 V Collector Emitter Voltage VCE

 9.1. Size:83K  cdil
 csd1489.pdf pdf_icon

CSD1426F

IS / IECQC 700000 IS / IECQC 750100 Continental Device India Limited An ISO/TS 16949, ISO 9001 and ISO 14001 Certified Company NPN EPITAXIAL PLANAR SILICON TRANSISTOR CSD1489 TO-92 BCE Low Frequency Power Amplifier. Complementary CSB1058 ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS(Ta=25deg C unless otherwise specified) DESCRIPTION SYMBOL VALUE UNIT Collector -Base Voltage BVCBO 20 V Collector Emitter

Другие транзисторы: CSD1047YF, CSD1168, CSD1168P, CSD1168Q, CSD13002, CSD1306D, CSD1306E, CSD1306F, 2SC2073, CSD1506, CSD1506N, CSD1506P, CSD1506Q, CSD1506R, CSD1563, CSD1563AN, CSD1563AP