Биполярный транзистор CSD1426F - описание производителя. Основные параметры. Даташиты.
Наименование производителя: CSD1426F
Тип материала: Si
Полярность: NPN
Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 34 W
Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 1500 V
Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 600 V
Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 5 V
Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 3.5 A
Предельная температура PN-перехода (Tj): 150 °C
Граничная частота коэффициента передачи тока (ft): 3 MHz
Ёмкость коллекторного перехода (Cc): 95 pf
Статический коэффициент передачи тока (hfe): 8
Корпус транзистора: TO-3P
CSD1426F Datasheet (PDF)
csd1426f.pdf
Continental Device India LimitedAn ISO/TS 16949, ISO 9001 and ISO 14001 Certified CompanyNPN HIGH VOLTAGE SILICON POWER TRANSISTORS CSD1426FTO-3P Fully IsolatedPlastic PackageBCEColour TV Horizontal Output Applications.ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS (Ta=25C unless specified otherwise)DESCRIPTION SYMBOL VALUE UNITCollector Base Voltage VCBO 1500 VCollector Emitter Voltage VCE
csd1489.pdf
IS / IECQC 700000IS / IECQC 750100Continental Device India LimitedAn ISO/TS 16949, ISO 9001 and ISO 14001 Certified CompanyNPN EPITAXIAL PLANAR SILICON TRANSISTOR CSD1489TO-92BCELow Frequency Power Amplifier.Complementary CSB1058ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS(Ta=25deg C unless otherwise specified)DESCRIPTION SYMBOL VALUE UNITCollector -Base Voltage BVCBO 20 VCollector Emitter
Другие транзисторы... 2N3200 , 2N3201 , 2N3202 , 2N3203 , 2N3204 , 2N3205 , 2N3206 , 2N3207 , B772 , 2N3209 , 2N3209AQF , 2N3209CSM , 2N3209DCSM , 2N3209L , 2N321 , 2N3210 , 2N3211 .
Список транзисторов
Обновления
BJT: SBT42 | 2SA200-Y | 2SA200-O | 2SD882-Q | 2SD882-P | 2SD882-E | 2SC945-L | 2SC945-H | 2SC4226-R23 | 2SC3357-F | 2SC3357-E | 2SC3356-R26 | 2SC3356-R24 | 2SC3356-R23 | 2SB772-Q | 2SB772-P | 2SB772-E | 2SA1015-L | 2SA1015-H | HSS8550 | HSS8050