CSD545E Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

Número de Parte: CSD545E

Material: Si

Polaridad de transistor: NPN

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

Disipación total del dispositivo (Pc): 0.6 W

Tensión colector-base (Vcb): 25 V

Tensión colector-emisor (Vce): 25 V

Tensión emisor-base (Veb): 5 V

Corriente del colector DC máxima (Ic): 1 A

Temperatura operativa máxima (Tj): 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

Transición de frecuencia (fT): 180 MHz

Capacitancia de salida (Cc): 15 pF

Ganancia de corriente contínua (hFE): 100

Encapsulados: TO-92

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CSD545E datasheet

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CSD545E

Continental Device India Limited An ISO/TS 16949, ISO 9001 and ISO 14001 Certified Company NPN SILICON EPITAXIAL TRANSISTOR CSD545 TO-92 Plastic Package Low Frequencty Power Amplifier And Convertor Stage Applications. ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS (Ta=25 C unless specified otherwise) DESCRIPTION SYMBOL VALUE UNIT Collector Emitter Voltage BVCEO 25 V Collector Base Voltage BVCBO 25 V Emitt

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